公开(公告)号：CN103190041A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180051842.4

申请日：2011-10-26

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： J·S·斯派克 ,  A·泰亚吉 ,  S·P·德恩巴阿斯 ,  S·纳卡姆拉

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01L29/045 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： 制造半极性III-氮化物装置的基底的方法，包括图案化半极性III-氮化物基底或外延层的表面并在其上形成一个或多个台面，由此形成包括各台面的半极性III-氮化物基底或外延层的图案表面，各台面沿着穿透位错滑移的方向具有尺寸l，其中穿透位错滑移由基底或外延层的非图案表面上异质外延地和共格地沉积的III-氮化物层产生。

公开(公告)号：CN101273469B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680035651.8

申请日：2006-09-22

申请人： 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

发明人： M·R·克拉梅斯 ,  N·F·加德纳 ,  J·E·埃普勒

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。

公开(公告)号：CN101615764A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910139684.2

申请日：2005-06-08

申请人： 夏普株式会社

发明人： 神川刚

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/223 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： 提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。

公开(公告)号：CN100456582C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510052988.7

申请日：2005-03-04

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 松村拓明 ,  小谷靖长

IPC分类号： H01S5/16 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/024 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/12

摘要： 一种半导体激光元件，在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、所述第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)、和在与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面(20)形成的半导体激光元件。在与所述共振面(20)接近的区域中，从所述波导通路区域(10)隔间隔，在所述第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。

公开(公告)号：CN101273469A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035651.8

申请日：2006-09-22

申请人： 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

发明人： M·R·克拉梅斯 ,  N·F·加德纳 ,  J·E·埃普勒

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III－氮化物发光层。所述III－氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。

公开(公告)号：CN100405619C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03801898.5

申请日：2003-01-27

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 佐野雅彦 ,  野中满宏 ,  镰田和美 ,  山本正司

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/405 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2933/0016 ,  H01S2304/12 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。

公开(公告)号：CN100370661C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200480015121.8

申请日：2004-05-27

申请人： 夏普株式会社 ,  住友电气工业株式会社

发明人： 神川刚 ,  金子佳加 ,  元木健作

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。

公开(公告)号：CN1961432A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC分类号： H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN1922772A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN1901300A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610103335.1

申请日：2006-07-18

申请人： 安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司

发明人： 杰弗里·N·米勒 ,  斯科特·W·科尔扎因 ,  戴维·P·保尔

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/32

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/2203 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3428 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明提供了一种VCSEL系统，其包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结，其中，正向偏压所述横向p/n结在所述集成的多个增益区中引起光子发射。