公开(公告)号：CN103891067A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201180074425.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 梁迪

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S3/136 ,  H01S3/10 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2222 ,  H01S2301/176

Abstract: 一种激光系统可包括响应于第一电刺激将电载流子传输至有源区的电极。该激光系统还可包括响应于第二电刺激将电载流子传输至该有源区的另一电极。这些电载流子可以在该有源区中结合，来发射用于生成光信号的光子。该系统可进一步包括又一电极，该又一电极响应于电刺激而影响设备层中电载流子的浓度，以改变与第一波导区、第二波导区以及该设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容。该第三电刺激可以被调制为基于该内电容区的电容改变对该光信号进行调制。

公开(公告)号：CN101263615A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033659.0

申请日：2006-09-05

Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： J·C·金 ,  S·A·斯托克曼

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01S5/0424

Abstract: 一种半导体发光器件，包括有源区、n型区和p型区，p型区包括延伸到有源区中的部分。有源区可以包括由阻挡层隔开的多个量子阱，并且p型延伸部分穿透至少一个量子阱层。延伸到有源区中的p型区的延伸部分可以通过提供到各个量子阱中的直接电流路径来提供有源区的各个量子阱中的载流子的均匀填充。该均匀填充可以通过减少与体p型区最接近的量子阱中的载流子密度而改善高电流密度下的操作效率，由此减少无辐射复合损失的载流子数目。

公开(公告)号：CN1208885C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02103159.2

申请日：2002-02-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  郭准燮

IPC: H01S5/065

CPC classification number: H01S5/06203 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/065 ,  H01S5/2231

Abstract: 提供一种用于控制载流子内流路径宽度的半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括连接到有n型电极的n型化合物半导体层；顺序堆叠在n型化合物半导体层上的n型包层，谐振层，p型包层，和p型化合物半导体层；连接到p型化合物半导体层的p型电极；和在p型电极周围形成的载流子内流宽度控制器。

公开(公告)号：CN104871379A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380068141.0

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01S5/026 ,  H01L31/10 ,  H01L33/02 ,  H01S5/50

CPC classification number: G02B6/4298 ,  G02B6/122 ,  H01L27/15 ,  H01L31/103 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/32 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明提供一种半导体光集成电路，其通过发光功能部与光波导部的无边界化，不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备：半导体基板(10)；形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn)；形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2)；以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流，由pn接合部(10pn)产生光信号，光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流，一边放大光信号，一边传输光信号。

公开(公告)号：CN101772867B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200880101543.5

申请日：2008-07-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： M·谭 ,  S·-Y·王 ,  D·斯图尔特 ,  D·法塔勒

IPC: H01S3/08 ,  H01S3/109

CPC classification number: H01S5/1075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的各个实施例涉及微谐振器系统和制造谐振器系统的方法。在一个实施例中，一种微谐振器系统(200)包括具有顶表面层(204)的衬底(206)以及埋入该衬底中且毗邻该衬底的顶表面层定位的至少一个波导(214，216)。该微谐振器系统还包括微谐振器(202，402)，这些微谐振器具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)。该微谐振器的底层(220)附连至衬底的顶表面层(204)并与之电连接。该微谐振器被定位成使该外围区的至少一部分位于至少一个波导(214，216)之上。该外围涂层(224)覆盖外围表面的至少一部分，且具有相对微谐振器的顶层、中间层以及底层而言更低的折射率。

公开(公告)号：CN100511884C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200580026962.3

申请日：2005-08-02

Applicant: 秦内蒂克有限公司

Inventor： G·R·纳什 ,  J·H·杰斐森 ,  K·J·纳什

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0424

Abstract: 一种横向结半导体器件及其制造方法，该方法包括步骤：形成具有叠层的半导体结构(2)，该叠层通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料形成，其中第一层(4)中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，并从第一层(4)选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向的在有源层(8)中第一极性的电荷载流子的浓度梯度。一种光子源，其包含所述横向结半导体器件。

公开(公告)号：CN1901300A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610103335.1

申请日：2006-07-18

Applicant: 安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司

Inventor： 杰弗里·N·米勒 ,  斯科特·W·科尔扎因 ,  戴维·P·保尔

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/32

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/2203 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3428 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供了一种VCSEL系统，其包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结，其中，正向偏压所述横向p/n结在所述集成的多个增益区中引起光子发射。

公开(公告)号：CN1367540A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN01143304.3

申请日：2001-12-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郭准燮 ,  李教烈 ,  赵济熙 ,  蔡秀熙

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/928

Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极,在它们之间夹着高阻蚀基片,以及用于产生激光或发光的材料层,第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部,以覆盖最外材料层的暴露区域。

公开(公告)号：CN107534267A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580078947.7

申请日：2015-03-06

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  国家科学研究中心 ,  巴黎南方大学

Inventor： M·普罗斯特 ,  M·埃尔库尔迪 ,  P·博考德 ,  F·伯夫

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/227 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/3223 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明涉及一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，采用重掺杂N型锗层(3)并采用第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成穿透至衬底中的沟槽(7)以形成衬底条带、锗条带、以及第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。

公开(公告)号：CN106025799A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610188751.X

申请日：2016-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑政玮 ,  E·里欧班端 ,  李宁 ,  D·K·萨达纳 ,  徐崑庭

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2214 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  H01S5/323

Abstract: 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。