公开(公告)号：CN116171381A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180062552.3

申请日：2021-08-04

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G01N23/2255

Abstract: 向金属图案施加脉冲状的电压，将脉冲状的电压的周期设定为比聚焦离子束的扫描周期短，仅使二次带电粒子像中的、与因断线部分而分离的所述金属图案中的被施加有所述脉冲状的电压的部分对应的区域作为反映出随时间发生变动的表面电位的第一图案的区域来形成，将第一图案的区域与依存于不随时间发生变化的表面电位的第二图案的区域的交界区域检测为分离部分，基于所述分离部分的有无来检测金属图案的断线或短路。

公开(公告)号：CN114096368A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080050119.3

申请日：2020-05-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: B23K26/00 ,  H05K3/00 ,  H05K3/08 ,  B23K26/03 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明提供一种激光修复方法、激光修复装置。即使存在基底层不同或膜厚偏差的情况下，也能够进行高质量的修复。激光修复方法对多层膜基板的缺陷部设定激光照射范围，在所设定的激光加工条件下对所述缺陷部照射激光束来进行修复加工时，确定激光束照射位置的周边区域，按每个共同的反射光信息将所确定的周边区域划分成多个区分区域，根据位于激光束照射位置周围的区分区域的配置图案，类推激光束照射位置的层结构，根据所类推的层结构，设定照射的激光束的激光加工条件。

公开(公告)号：CN112313487A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980040983.2

申请日：2019-06-12

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G01J1/02 ,  G01J4/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01S3/00

Abstract: 提供一种能够准确地评价向基板照射的激光的激光能量测定装置。本发明的激光能量测定装置具备：第一分束器，其在照明光学系统的内部或外部，将激光通过P偏振反射及S偏振反射中的一方进行反射；第二分束器，其针对由第一分束器反射了的第一反射光实施P偏振反射及S偏振反射中的另一方；第一测定部，其测定由第二分束器反射了的第二反射光的能量；以及第二测定部，其测定透过了第二分束器的透射光的能量。

公开(公告)号：CN107004604B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201580064351.1

申请日：2015-11-19

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  木口哲也

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。

公开(公告)号：CN111149188A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880063201.2

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种激光照射装置、投影遮罩及激光照射方法，透过降低对通道区域所照射的激光的特性的偏差，而降低所形成的多晶硅薄膜的变异，以便能够抑制基板之中所包含的多个的薄膜晶体管的特性的变异。本发明的一实施形态之中的激光照射装置是具备产生激光的光源、投影透镜，对薄膜晶体管的覆着了非晶硅薄膜的指定的区域照射激光、及投影遮罩，其被配置在投影透镜上，且包含使激光穿透的多个的开口部，其中在多个的开口部的各开口部的周边部，形成能够降低激光的绕射的指定的图案。

公开(公告)号：CN110326087A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880013167.8

申请日：2018-02-20

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的一实施方式提供一种激光照射装置，其特征在于，包括：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；投影掩模图案，其配置于所述投影透镜，并由规定的投影图案使所述激光透射，所述投影掩模图案除包括与所述规定的区域对应的透射区域，还包括辅助图案，该辅助图案设于该透射区域的周边，并使所述激光透射。

公开(公告)号：CN107615451A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680028396.8

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种激光退火方法，用激光(L)照射覆盖于基板(5)上的非晶体硅薄膜(7)而形成多晶硅，其中，变更上述激光(L)照射到上述非晶体硅薄膜(7)上的照射区域来多重照射，产生多晶硅的晶粒直径沿着上述激光(L)的照射区域的至少中心线(C)从中央部朝向侧端部变小的粒径分布。由此，能够实现能够通过简单的工序减少漏电电流的激光退火方法。

公开(公告)号：CN104272434B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201380017446.9

申请日：2013-03-08

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 ,  H01S3/10 ,  H01S3/23

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/354 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/115 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1643 ,  H01S3/2316 ,  H01S3/2391

Abstract: 本发明提供一种激光退火装置及激光退火方法，其向非晶硅膜照射激光以进行退火处理，该激光退火装置具备：产生具有恒定的脉冲宽度的恒定波长的第一激光(L1)的第一脉冲激光器(6)、产生脉冲宽度及波长比所述第一激光(L1)更长的第二激光(L2)的第二脉冲激光器(7)、将所述第一激光(L1)和所述第二激光(L2)合成为同一光轴的合成装置(8)、以及，对所述第一脉冲激光器及第二脉冲激光器(6、7)作用从而控制所述第一及第二激光(L1、L2)的产生时间的控制装置(3)，所述控制装置(3)控制所述第一脉冲激光器(6)，使得所述第一激光(L1)在所述第二激光(L2)的脉冲宽度内的预定时间产生。

公开(公告)号：CN106232857A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020787.0

申请日：2015-04-06

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  G06F3/041

CPC classification number: B05B12/20 ,  B05D1/32 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  B05D7/54 ,  B05D2202/00 ,  C23C14/042 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107 ,  G06F2203/04112

Abstract: 本发明涉及成膜掩膜、成膜掩膜的制造方法以及触摸面板的制造方法，该成膜掩膜具备：片状的遮蔽部件(2)，其与被形成于被成膜基板(8)上的薄膜图案对应地具有开口部(5)；以及网孔置有间隙并在所述开口部(5)的侧壁(5a)部分被支承于所述遮蔽部件(2)，并在所述开口部(5)内具有多个格子点(6)。(3)，其在与所述遮蔽部件(2)的一面(2b)之间设

公开(公告)号：CN105980098A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007681.7

申请日：2015-03-31

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: B23K26/066 ,  B23K26/382

Abstract: 本发明涉及光束整形掩模、激光加工装置以及激光加工方法。其为具有与被激光加工于薄膜(15)的开口图案(20)的形状相似的形状的开口(4)的光束整形掩模(1)，开口(4)被形成为该开口(4)内的光透射率从中央部向周缘部递减、并且即使在周缘部也具有能够确保能够激光加工薄膜(15)的至少最低限度的激光强度的光透射率，从而防止在激光加工后的孔的边缘部产生毛刺(22)。