晶片的生成方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106239751B

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201610391111.9

    申请日:2016-06-03

    发明人: 平田和也

    IPC分类号: B28D5/00 B28D5/04

    摘要: 提供晶片的生成方法,经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片,具有如下的步骤:支承步骤,隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α;改质层形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度,在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束,在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹;和转位步骤,使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。