晶片的生成方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105665946B

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201510853456.7

    申请日:2015-11-30

    IPC分类号: B23K26/53 B28D5/00

    摘要: 提供晶片的生成方法。具有:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度,使聚光点与锭相对移动对正面照射激光束,形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点;晶片剥离步骤,从分离起点将相当于晶片厚度的板状物从锭剥离而生成晶片,分离起点形成步骤包含:改质层形成步骤,c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角,使激光束聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对移动而形成改质层;转位步骤,在形成偏离角的方向上使聚光点相对移动而转位规定量,根据改质层和裂痕大小将转位量设定为如下的间隔:使形成在相邻改质层周围的裂痕彼此重合规定量。

    晶片的生成方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106216857B

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201610373433.0

    申请日:2016-05-31

    发明人: 平田和也

    IPC分类号: B23K26/53 B23K26/08

    摘要: 提供晶片的生成方法,从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度,并且使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束,形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点;以及晶片剥离步骤,从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成六方晶单晶晶片。如果将聚光光斑的直径设为d、将相邻的激光束的聚光光斑的间隔设为x,则按照‑0.3≤(d‑x)/d≤0.5的范围照射激光束而形成改质层。

    被加工物的加工方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108202183A

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201711316175.3

    申请日:2017-12-12

    发明人: 荒川太朗

    IPC分类号: B23K26/53 H01L21/78

    CPC分类号: B23K26/53 H01L21/78

    摘要: 提供被加工物的加工方法,能够防止因被照射面的凹凸而引起的激光束的折射,而在被加工物的内部形成适当的改质层。该被加工物的加工方法包含如下的步骤:树脂层形成步骤,在被加工物的背面上形成使激光束透过的树脂层;覆盖部件密接步骤,使覆盖部件的背面与形成于被加工物的背面上的树脂层密接,该覆盖部件使激光束透过并且具有比被加工物的背面平坦的正面;以及激光束照射步骤,从覆盖部件的露出的正面侧隔着树脂层对被加工物照射激光束,在被加工物的内部形成改质层,通过树脂层和覆盖部件来抑制因背面的凹凸而引起的激光束的折射。