公开(公告)号：CN109690791A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780039785.5

申请日：2017-06-28

申请人： 株式会社钟化

发明人： 足立大辅

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1888 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

摘要： 一种晶体硅系太阳能电池，在晶体硅基板(1)的一个主面从晶体硅基板侧起依次具备本征硅系薄膜(21)和导电型硅系薄膜(22)。晶体硅基板在表面具有金字塔状的凹凸结构。设置于凹凸的顶部上的硅系薄膜的膜厚小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。优选设置于凹凸的谷部上的硅系薄膜的膜厚也小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。

公开(公告)号：CN108352417A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064015.1

申请日：2016-11-04

申请人： 株式会社钟化

发明人： 足立大辅 ,  寺下彻 ,  宇都俊彦

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

摘要： 太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)和图案集电极(11)，在n型晶体硅基板的第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)和镀覆金属电极(21)。在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有除去了第一透明电极层与第二透明电极层的短路的绝缘区域(41)。本发明的制造方法中，在第一本征硅系薄膜形成后，形成第二本征硅系薄膜。镀覆金属电极以在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有绝缘区域的状态通过电镀法而形成。图案集电极的厚度d1大于镀覆金属电极的膜厚d2。

公开(公告)号：CN108336170A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810039075.9

申请日：2018-01-16

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李京洙 ,  黄圣贤 ,  朴相昱

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/32055 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/28 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202

摘要： 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。

公开(公告)号：CN105794004B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201480056606.5

申请日：2014-12-12

申请人： 太阳能公司

发明人： 林承笵 ,  大卫·D·史密斯 ,  邱泰庆 ,  斯塔凡·韦斯特贝格 ,  基兰·马克·特雷西 ,  文卡塔苏布拉马尼·巴鲁

IPC分类号： H01L31/049

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。

公开(公告)号：CN107914086A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711406922.2

申请日：2017-12-22

申请人： 君泰创新(北京)科技有限公司

发明人： 范慧斌 ,  郭政 ,  王旭东

IPC分类号： B23K26/21 ,  B23K26/70 ,  B23K26/03

CPC分类号： H01L31/022425 ,  B23K26/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/034 ,  B23K26/035 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/18 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  H01L31/208 ,  H02S40/34 ,  B23K26/21 ,  B23K26/702

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池汇流条焊接装置，包括焊接平台、激光器、传感器和激光调节机构，所述激光器设于所述焊接平台的上方，所述激光调节机构与所述激光器连接，所述焊接平台的表面设有所述传感器；本发明的太阳能电池汇流条焊接装置，采用激光焊接方式替代传统的手工烙铁焊接和电阻加热焊接方式，并且配合激光调节机构根据需要调节激光器的功率，可以更好地把控汇流条焊接温度的精度及均匀性，与现有技术相比，本发明能够提高汇流条焊接的质量，避免汇流条与引流条之间发生位置偏移，减少虚焊、漏焊等的不良现象，提升光伏组件的整体性能。

公开(公告)号：CN107681020A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710878335.7

申请日：2017-09-26

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  任慧志 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/054

CPC分类号： H01L31/1868 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

摘要： 本发明提供一种提高平面硅异质结太阳电池长波长光响应的方法，该方法选取衬底S，两侧分别生长钝化层I，在衬底一侧沉积发射极P，另一侧沉积N作为平面硅异质结太阳电池的背场，P层上沉积透明电极ITO，最后电池两侧分别制作金属电极M1和M2。该方法采用的n型背场N因为具有低折射率和宽带隙的特性，不需引入复杂的绒面陷光结构即提高了平面硅异质结太阳电池的长波长光响应。

公开(公告)号：CN107516691A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710566633.2

申请日：2017-07-12

申请人： 三峡大学

发明人： 姜礼华 ,  谭新玉 ,  肖婷 ,  向鹏

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202

摘要： 本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理，最终电池制备完成。由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。

公开(公告)号：CN107180887A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710491609.7

申请日：2017-06-20

申请人： 上海日岳新能源有限公司

发明人： 宋太伟

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202

摘要： 本发明专利是一种多结叠层薄膜太阳能电池内部结之间耦合连接工艺（即单结电池之间耦合连接工艺），其结构特征是多结薄膜电池中，单结之间的叠层耦合连接采用0.01—1000nm厚的导体薄膜，而非传统的隧道结等耦合连接工艺。

公开(公告)号：CN107170842A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710438883.8

申请日：2017-06-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马占洁

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022408 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/202 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

摘要： 一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括：衬底基板；电极条，设置在衬底基板上；半导体层，设置在衬底基板面向电极条的一侧；绝缘层，设置在电极条与半导体层之间，其中，绝缘层包括厚度增加部，厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处。采用该光电探测结构可以降低电极条边缘处对应的半导体光电转化层中的电场强度，一方面降低了暗电流，另一方面可以通过减小电极条的宽度来提升光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN107093644A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710265870.5

申请日：2017-04-21

申请人： 江苏天雄电气自动化有限公司

发明人： 徐晨 ,  陈帅梁 ,  陈琳 ,  顾运莉

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H02S40/32 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

摘要： 本发明涉及一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统，所述光伏发电系统包括：多个用于产生直流电的光伏组件；多个用于将所述直流电转换为交流电的功率转换器；多个无功功率补偿系统；所述光伏组件包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为硅基异质结太阳能电池。本发明的光伏发电系统具有无功功率补偿系统，降低电能损耗，同时采用硅基异质结太阳能电池，制造成本低且光电转换效率优异。