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公开(公告)号:CN108264242A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201810170888.1
申请日:2018-03-01
申请人: 复旦大学
IPC分类号: C03C17/34 , C01G49/02 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC分类号: Y02P70/521 , C03C17/3417 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G49/02 , C01P2004/03 , C01P2004/24 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C03C17/006 , C03C2217/40 , C03C2217/948 , C03C2218/32 , C03C2218/322 , H01L31/0321 , H01L31/035227 , H01L31/18
摘要: 本发明属于光电功能材料技术领域,具体为氧化物掺杂的纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用。本发明以氧化亚铜纳米线薄膜为主体,在表面上涂布羟基氧化铁纳米颗粒,热退火下通过界面反应,获得氧化物掺杂的纳米结构氧化亚铜薄膜;该薄膜作为太阳能电池的光电转换薄膜,可极大提高光电转换效率,提升氧化亚铜太阳能电池的性能。
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公开(公告)号:CN105210197B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201480026995.7
申请日:2014-03-12
申请人: 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/035227 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 公开了用于实现高转换效率太阳能电池的方法、系统和装置。在一个方面,一种光电能量转换装置包括:基板,其由掺杂半导体材料形成并且具有第一区域和第二区域;多层纳米结构的阵列,其从所述基板的所述第一区域突出,其中,所述纳米结构由被形成芯‑壳结构的第二共掺杂半导体材料的层覆盖第一共掺杂半导体材料形成,所述层覆盖所述基板的第二区域中的所述掺杂半导体材料的至少一部分;电极,其形成在所述基板的所述第二区域中的被所述层覆盖的部分上,其中,所述多层纳米结构提供光学有源区,所述光学有源区能够从一个或多个波长的光吸收光子,以产生所述电极处出现的电信号。
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公开(公告)号:CN105556680B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201480035698.9
申请日:2014-05-22
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/107
CPC分类号: H01L31/035272 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , G02B2006/12176 , H01L23/66 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/024 , H01L31/028 , H01L31/0284 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/1804 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L2223/6627 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要: 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度,引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽,并且量子效率为大约90%或更高。
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公开(公告)号:CN105324856B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201480034918.6
申请日:2014-06-20
申请人: 俄克拉荷马大学董事会
IPC分类号: H01L31/108 , H01L27/146
CPC分类号: H01L31/0324 , H01L27/14665 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/035272 , H01L31/108 , H01L31/109
摘要: 一种红外(IR)光伏(PV)检测器,包括在衬底上设置的IV‑VI铅(Pb)盐层,与该IV‑VI Pb盐层相关联的电荷分离结(CSJ)结构,其中该CSJ结构包括设置在该IV‑VI Pb盐层上或内的多个元素区域,其中所述多个元素区域彼此间隔开。每个元素区域可连接到第一欧姆接触,从而形成多个互相连接的第一欧姆接触,以及第二欧姆接触可设置在该IV‑VI Pb盐层的部分上。在另一个实施例中,一种PV检测器,其包括异质结区,该异质结区包括耦合到至少一个非Pb盐层的至少一个IV‑VI铅Pb盐材料层,其中至少一个IV‑VI Pb盐层和至少一个非Pb盐层形成具有II型带隙对准的p‑n结或肖特基结。
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公开(公告)号:CN104685637B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201380043422.0
申请日:2013-06-21
申请人: 挪威科技大学(NTNU)
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC分类号: H01L31/035227 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/184
摘要: 一种物质组合物,特别是光电池,其包括:至少一个核心半导体纳米线,其在石墨衬底上,所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上,其中所述纳米线包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素;半导体壳,其围绕所述核心纳米线,所述壳包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n‑型半导体和p‑型半导体,或反之亦然;和外部导电涂层,其围绕所述壳,所述外部导电涂层形成电极触点。
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公开(公告)号:CN106981531A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710238070.4
申请日:2017-04-13
申请人: 商丘师范学院
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号: H01L31/035227 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用,所述的三维纳米结构阵列是由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。本发明制得的三维纳米结构阵列中辐射状生长的纳米线直径较小,长度和密度较大,大大增加了材料的比表面积,从而增大了三维纳米结构阵列的对光的吸收面积,使其对光的吸收较一维纳米阵列有明显的增强;同时由于规则排列的纳米线外侧,细小纳米线的辐射状生长,且辐射状生长的纳米线的密度较大,使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收,降低了三维纳米结构阵列对光线入射角度的敏感性,在光伏领域应用时可以避免不断随光照角度变化而改变太阳能电池角度,导致成本增加的问题。
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公开(公告)号:CN106887484A
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201710237269.5
申请日:2017-04-12
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18
摘要: 本发明提供了一种铋金属纳米柱/石墨烯异质结高灵敏度光电探测器,采用分子束外延技术,运用固液气过程,在硅基片上以锡诱导生长铋纳米柱,然后转移单层石墨烯并且经过光刻,镀电极得到所述光电探测器。经测试知暗电流很小,在模拟太阳光光照下光电流强度高;且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点,在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN106415844A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580028477.3
申请日:2015-04-28
申请人: 索尔伏打电流公司
发明人: 乌梅亚尔·纳西姆 , 约翰·博里斯特伦 , 热姆·卡斯蒂略-莱昂 , 佩尔·维克隆德
IPC分类号: H01L29/06 , H01L31/0352 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , B05D1/20 , H01L29/20 , H01L29/22
CPC分类号: H01L31/035227 , B05D1/202 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L29/0676 , H01L29/20 , H01L29/22 , H01L31/1828 , H01L31/184
摘要: 一种将定向纳米线从液体界面转移到表面上的方法,其包括提供第一液体和第二液体,其中所述第一和第二液体相分离成底部相、顶部相和所述底部相与所述顶部相之间的界面;在所述第一和第二液体中提供纳米线使得大部分所述纳米线位于所述界面处并且将所述纳米线提供到衬底上,使得大部分所述纳米线在所述衬底上彼此对准。
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公开(公告)号:CN106067485A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610559814.8
申请日:2016-07-15
申请人: 上海电机学院
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04
CPC分类号: Y02E10/50 , H01L31/02168 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/04
摘要: 本发明提供了一种金属‑有源层‑抗反射层纳米线太阳能电池,由半导体纳米线单元沿一维方向周期性放置,形成周期结构阵列;半导体纳米线单元由金属、有源层和抗反射层由内至外依次同轴设置构成。光入射时,抗反射层增强光入射到有源层的能量;光入射至有源层时,激励出回音壁模式,满足该模式的光波在有源层内传播;当光波入射至有源层和金属交界面时,激励出金属表面等离子激元,满足波矢量匹配波长的光波被吸收。本发明可实现对满足波矢量匹配波长的光波接近100%吸收率,同时抗反射层可作为正向电极,金属作为背向电极导电,在正向和背向电极之间加载电路可实现有效的光电转化。本发明材料适用广泛,制造工艺简单,可实现全光谱高吸收率。
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公开(公告)号:CN105874608A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201480055147.9
申请日:2014-08-14
申请人: 挪威科技大学
IPC分类号: H01L31/0352
CPC分类号: H01L31/02363 , H01L31/022466 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , Y02E10/50
摘要: 光伏装置,包括固定至衬底的至少一个纳米线结构,其中至少一个纳米线结构中的每个包括:重掺杂p型芯部,具有固定至衬底的近端和远离衬底延伸的远端;以及位于p型芯部周围的n型壳体。
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