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公开(公告)号：CN108508533A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810310306.5
申请日：2018-04-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺，其中，波导芯片包括基底；基底顶部开设第一Y型分支结构，第一Y型分支结构的两个分支处均开设有第二Y型分支结构形成四个分支作为分光区域；第一Y型分支结构和第二Y型分支结构前段以及底层波导芯层构成低折射率差的单条形波导结构形成光的单模传输，第二Y型分支结构后段、底层波导芯层和顶部波导芯层构成高折射率差的双条形波导组合结构形成光的多模传输；每一第二Y型分支结构顶部后段的包覆层上间隔开设若干凹槽并裸露顶部波导芯层作为传感窗口。
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公开(公告)号：CN108305882A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711408329.1
申请日：2017-12-22
申请人： 硅光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12123 , H01L27/1443 , H01L28/24 , H01L28/40 , H01L31/02005 , H01L31/02027 , H01L31/1075
摘要： 本发明公开了完全集成的雪崩光电二极管接收器的各种实施例及其制造方法。光子器件包括其中具有埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)衬底、与SOI衬底集成的雪崩光电二极管、与SOI衬底集成的电容器、与SOI衬底集成的电阻器、硅无源波导以及与SOI衬底集成的接合焊盘。
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公开(公告)号：CN107817554A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711281521.9
申请日：2017-12-07
申请人： 濮阳光电产业技术研究院
摘要： 本发明属于涉及数据通信、有源光缆，具体涉及一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法。一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法，包括带有45°微反射镜的硅基V型槽的制作步骤，还包括在制备好的硅基V型槽的45°反射镜面上进行ICP刻蚀制备光栅的过程。该方法通过硅刻蚀及镀膜方式，实现带有45°的微反射镜的硅基V型槽波导，以实现VCSEL的光路偏转；并在硅基V型槽的45°反射镜面上制备亚波长光栅，用以实现光的偏振及会聚，使用本方法制作的硅基V型槽提升耦合效率并实现高偏振态的光以便其在光纤中传输时色散更小传播的更远。
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公开(公告)号：CN104412375B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201380035848.1
申请日：2013-05-30
申请人： 美光科技公司
发明人： 罗伊·米迪
IPC分类号： H01L21/762 , G02B6/12 , H01L21/84
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12061 , H01L21/76283 , H01L21/84
摘要： 本发明揭示一种提供绝缘体上硅衬底的方法及结构，光子装置形成于所述绝缘体上硅衬底上，且在所述绝缘体上硅衬底中，波导的芯材料通过浅沟槽隔离区域与支撑衬底光学解耦。
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公开(公告)号：CN107667306A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680031753.6
申请日：2016-04-20
申请人： 斯考皮欧技术有限公司
发明人： 达米安·兰贝特
CPC分类号： G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169
摘要： 一种方法形成用于波导的垂直输出耦合器，所述波导通过覆于埋氧层上的波导材料沿水平传播方向传播光。该方法包括蚀刻波导以去除波导的一部分。蚀刻形成至少第一平面，所述至少第一平面在波导的边缘处、与波导的去除部分相邻，并且以相对于传播方向20度至70度之间的垂直角度倾斜。该方法还包括用反射性金属涂覆第一倾斜平面以形成镜，使得镜将光反射成具有垂直分量的方向。
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公开(公告)号：CN104335088B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380029344.9
申请日：2013-03-13
申请人： 华为技术有限公司
发明人： 汤姆·柯林斯
CPC分类号： H01L31/1804 , G02B6/13 , G02B6/132 , G02B6/136 , H01L27/144 , H01L31/02327
摘要： 一种光子电路(400)制造工艺，包括：在第一晶片(101)上制造包含下包覆氧化层(102)和高折射率波导层(103)的第一层堆栈；确定所述高折射率波导层(103')的模型，以生成无源光子结构；平整所述第一层堆栈，所述第一层堆栈上厚度小于300纳米的平整氧化层(104)位于所述高折射率波导层(103)的上方；平整氧化层之前和/或之后，给所述模型化的高折射率波导层(103')退火；在第二晶片(201)上制造包含可分离的单晶硅波导层(203)的第二层堆栈；转移并键合所述第一层堆栈和所述第二层堆栈；在所述单晶硅波导层(203')内制造有源光子器件；及实现所述单晶硅波导层(203')和所述高折射率波导层(103")之间的渐逝波耦合。
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公开(公告)号：CN106537199A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480080599.2
申请日：2014-07-16
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/125 , G02B6/1228 , G02B6/136 , G02B2006/12061
摘要： 一种交叉波导，包括：第一波导和第二波导，其中，第一波导和第二波导相互垂直且交叉设置，第一波导和第二波导交叉的部分所形成的区域为交叉区域(101)，并且第一波导和第二波导均包括浅刻蚀部分(103)和芯层(102)，浅刻蚀部分(103)相对于芯层(102)的轴线对称分布在芯层(102)的长度方向的两边，其中，通过适当的调整芯层(102)或者浅刻蚀部分(103)的宽度，可以有效的降低光波在交叉波导中传输时的能量的损耗。
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公开(公告)号：CN106019640A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610172326.1
申请日：2016-03-24
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G02F1/025
CPC分类号： H01L31/18 , G02B6/122 , G02B6/1223 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/025 , H01L31/02325
摘要： 本发明提供一种半导体装置以及其制造方法，谋求半导体装置的高集成化，并实现半导体芯片的小型化。该半导体装置包括半导体基板(SUB)、在半导体基板(SUB)上形成的由氧化硅构成的绝缘层(CL)以及在绝缘层(CL)上形成的由硅构成的半导体层(SL)，通过半导体层(SL)而形成有光信号用传输线路部(A)的光波导(PO)以及光调制部(B)的光调制器(PC)。并且，绝缘层(CL)成为留下其一部分而具有空洞的中空构造，构成光波导(PO)以及光调制器(PC)的半导体层(SL)各自的两侧面以及下表面露出而被空气覆盖。
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公开(公告)号：CN104282794B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410331190.5
申请日：2014-07-11
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/18
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/132 , G02B6/134 , G02B6/136 , H01L31/105 , H01L31/1808
摘要： 本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。
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公开(公告)号：CN105700076A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610033839.4
申请日：2016-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十三研究所
IPC分类号： G02B6/136
CPC分类号： G02B6/136
摘要： 本发明公开了一种光波导屏蔽层的刻蚀方法，包括：S1)在硅衬底表面上依次沉积第一氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层；S2)在氮化硅层表面形成光刻胶的屏蔽图形；S3)对氮化硅层进行第一次刻蚀，刻蚀后去除表面的聚合物以及光刻胶，形成氮化硅层沟槽并裸露出部分多晶硅层；S4)对多晶硅层进行第二次刻蚀，形成多晶硅层沟槽并裸露出部分硅衬底；S5)在所述硅片表面沉积第二氧化硅层，并与第一氧化硅层连成一体；S6)采用化学机械研磨法对第二氧化硅层进行研磨，直至裸露氮化硅层；S7)剥离剩余的氮化硅层与表面残留的多晶硅层，得到需要的光波导屏蔽层。本发明能够大大改善硅沟槽的侧壁粗糙度，降低硅基光波导的散射损耗和传输损耗。
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