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公开(公告)号:CN106068471B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201580012338.1
申请日:2015-03-09
申请人: 斯考皮欧技术有限公司
CPC分类号: H01S3/1003 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12097 , G02B2006/12147 , H01S3/0315 , H01S3/063 , H01S3/0635 , H01S3/0675 , H01S3/08009 , H01S3/1055 , H01S5/021 , H01S5/0612 , H01S5/0683 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/1218 , H01S5/1234 , H01S5/141 , H01S5/3013
摘要: 光学定向耦合器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端。耦合器由被布置在衬底上的肩部以及被布置在肩部上的第一脊部和第二脊部构成。第一脊部从第一输入端延伸至第一输出端。第二脊部从第二输入端延伸至第二输出端。肩部、第一脊部以及第二脊部锥化以提供耦合并且被修改以选择耦合比。此外,可调谐激光器具有第一镜、第二镜、增益介质以及定向耦合器。第一镜和第二镜形成光学谐振腔。增益介质和定向耦合器至少部分地处于光学谐振腔的光路中。定向耦合器提供用于可调谐激光器的输出耦合器。
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公开(公告)号:CN108701962A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680082116.1
申请日:2016-12-19
申请人: 菲尼萨公司
IPC分类号: H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
CPC分类号: H01S5/026 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/2746 , G02B2006/12147 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02252 , H01S5/1032 , H01S5/1035 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/3013
摘要: 一种系统包括:表面耦合边缘发射激光器(212),包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206);以及光子集成电路(PIC),包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅,其中,第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状,降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号:CN107667306A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201680031753.6
申请日:2016-04-20
申请人: 斯考皮欧技术有限公司
发明人: 达米安·兰贝特
CPC分类号: G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169
摘要: 一种方法形成用于波导的垂直输出耦合器,所述波导通过覆于埋氧层上的波导材料沿水平传播方向传播光。该方法包括蚀刻波导以去除波导的一部分。蚀刻形成至少第一平面,所述至少第一平面在波导的边缘处、与波导的去除部分相邻,并且以相对于传播方向20度至70度之间的垂直角度倾斜。该方法还包括用反射性金属涂覆第一倾斜平面以形成镜,使得镜将光反射成具有垂直分量的方向。
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公开(公告)号:CN107548469A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201680024092.4
申请日:2016-03-10
申请人: 梅德路米克斯有限公司
发明人: J·L·卢比欧·吉唯尔那 , J·叁考·杜拉 , E·马伽罗·巴尔巴斯
CPC分类号: G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/2861 , G02B6/29331 , G02B6/29332 , G02B6/29344 , G02B6/29352 , G02B2006/12104 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , H01S5/1028
摘要: 给出了一种光子集成电路(100),其包括基板(102)以及被图案化在基板(102)上的第一波导(204)和第二波导(206)。第一波导(204)引导输入辐射束。光子集成电路还包括耦合区域(208),其中第一波导和第二波导(204,206)各自穿过耦合区域(208)。一个或多个调制元件(210)耦合到第一波导和第二波导(204,206)中的每一个。第一波导(204)和第二波导(206)分别具有第一刻面(212a)和第二刻面(212b),并且第一反射和第二反射分别在第一波导和第二波导(204,206)内的第一刻面和第二刻面(212a,212b)处生成。耦合到第一波导和第二波导(204,206)中的每一个的所述一个或多个调制元件(210)被设计成在第一反射和第二反射穿过耦合区域(208)之前调节第一反射和第二反射的相位。
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公开(公告)号:CN106371170A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610942347.7
申请日:2016-10-26
申请人: 中国科学院半导体研究所
IPC分类号: G02B6/122
CPC分类号: G02B6/122 , G02B2006/12147
摘要: 一种阵列波导型光路转换互联芯片,包括:一衬底,为矩形;一阵列波导芯区,该阵列波导芯区包括多个波导,每一个波导为带锥度的条形,其依序排列在衬底的上面;一上包层,其覆盖衬底的上表面,并包覆阵列波导芯区,形成阵列波导型光路转换互联芯片。本发明所制作的多通道波导型光路转换互联芯片工艺简单,可以大幅降低光子混合集成器件的耦合及集成制作难度。
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公开(公告)号:CN106104335A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580012098.5
申请日:2015-03-04
申请人: 日本电信电话株式会社
CPC分类号: G02B6/126 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B6/2766 , G02B6/2861 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12147
摘要: 在现有技术的偏振旋转回路中,一般需要形成并不适用于硅波导回路制作的氮化硅层。为了将偏振旋转回路的功能适用于光集成回路中,仅为此目的而追加形成氮化硅层的处理工序,导致制造时间的增加以及制造装置的复杂化。在本发明的偏振旋转回路中,使偏振转换回路的中央芯体部分的波导宽度变窄,由此,光波的强度不仅仅集中于中央芯体部分,使得更容易受到构造上的非对称性的影响。通过本发明的偏振旋转回路的构成,无需形成氮化硅层等,能够保持仅有硅波导的构造而高效地产生偏振转换。此外,通过并不使波导的间隔过度变窄的模式转换回路的各种构成例,提出能缩短回路长度、放宽制造时的公差的构成。
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公开(公告)号:CN103430065B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201280011917.0
申请日:2012-02-17
申请人: 阿尔卡特朗讯
发明人: 克里斯托弗·多尔
CPC分类号: B29D11/00663 , G02B6/124 , G02B6/30 , G02B27/0905 , G02B27/0944 , G02B27/286 , G02B2006/12147 , G11B7/1353 , G11B7/1374
摘要: 本发明涉及一种包含光学光栅耦合器以及耦合到其的多个光学波导的光学装置。所述光学光栅耦合器沿衬底的平面表面形成,且包含由绕所述表面上的中心同心地定位于所述表面上的隆脊形成的图案。每一对邻近隆脊由凹槽分离。所述多个波导中的每一波导相对于所述中心大致径向定向,且具有在所述隆脊中的最外一者附近终止的第一端。所述第一端沿所述隆脊中的所述最外一者大致均匀地间隔开。
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公开(公告)号:CN105210175A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201380069999.9
申请日:2013-11-12
申请人: 德玛雷有限责任公司
发明人: R·欧内斯特·德玛雷
IPC分类号: H01L21/203
CPC分类号: G02B6/122 , C23C14/044 , C23C14/083 , G02B6/0003 , G02B6/1228 , G02B6/132 , G02B6/14 , G02B6/305 , G02B6/4212 , G02B19/0042 , G02B2006/12147 , H05K999/99 , Y10T74/18576
摘要: 公开了沉积材料以提供光从第一装置至第二装置的有效耦合的方法。一般地,所述方法包括如下步骤:将一个或多个晶片安装在旋转台上,一个或多个源靶下方连续旋转所述旋转台。供给处理气体,并且所述一个或多个源靶被驱动,同时使用射频偏压偏压晶片以在一个或多个晶片上沉积光学介电薄膜。在一些实施例中,荫罩板在沉积期间可以在一个或多个晶片上横向地平移。在一些实施例中,沉积的薄膜可以具有横向和/或水平的变化的折射率和/或横向的变化的厚度。
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公开(公告)号:CN104769472A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201380058372.3
申请日:2013-10-03
申请人: 株式会社V技术
IPC分类号: G02B6/42 , H01L31/0232
CPC分类号: G02B6/122 , G02B6/134 , G02B2006/12061 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169 , H01L31/0232 , G02B6/42
摘要: 本发明提供一种光互连装置。为了能够实现高效率的芯片内光互连,本发明的光互连装置(1)具备:Si半导体基板(10);光波导(2),形成于Si半导体基板(10);及发光元件(3),形成于光波导(2)的一端部,发光元件(3)具有pn结(10pn),所述pn结(10pn)通过一边向第2半导体层(10p)照射光一边实施退火处理而得到,所述第2半导体层(10p)通过在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)高浓度掺杂杂质而得到。
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公开(公告)号:CN103261931A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201180059282.7
申请日:2011-10-07
申请人: 康奈尔大学
CPC分类号: G02B6/12 , B01L3/502761 , B01L2200/0668 , B01L2300/0654 , B01L2400/0454 , B82Y20/00 , G01N15/10 , G01N2015/0038 , G01N2015/0053 , G02B6/1225 , G02B2006/12061 , G02B2006/12147 , G02F1/025
摘要: 多种光子晶体谐振器光阱装置以及多种使用所述光子晶体谐振器光阱装置的光学捕获方法,所述光阱装置包括形成并位于基底上方的光子波导,该波导和光子晶体谐振器耦合(通过分离耦合或者集成耦合的方式)。在一特定具体实施方式中,光子波导和光子晶体谐振器包含有单晶硅(或其他)光子材料,该材料不具有任何化学功能性。在另一特定具体实施方式中,光子波导和光子晶体谐振器包含有氮化硅材料,在1064纳米的谐振光子射线波长(或者其他波长范围在700到1200纳米的谐振光子射线)下驱动该光子晶体谐振器光阱装置时,该材料不会对该光子晶体谐振器光阱装置所分析的含水样品流体产生明显的加热作用。
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