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公开(公告)号：CN108701962B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
申请人： 菲尼萨公司
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/0225 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
摘要： 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN108701962A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
申请人： 菲尼萨公司
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
CPC分类号： H01S5/026 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/2746 , G02B2006/12147 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02252 , H01S5/1032 , H01S5/1035 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/3013
摘要： 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN107209325A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073068.5
申请日：2015-11-11
申请人： 菲尼萨公司
摘要： 在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧化物上方并在第一层上方或下方垂直移位。第二层包括Si波导，其具有与SiN波导的耦合器部分在两个正交方向上对齐的锥形端，使得所述Si波导的锥形端在两个正交方向上重叠并且平行于所述SiN波导的耦合器部分。SiN波导的锥形端被构造为绝热耦合至中介件波导的耦合器部分。
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公开(公告)号：CN111226147B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201880064598.7
申请日：2018-08-03
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 罗英 , 李珍亨 , 林诗韵
摘要： 在一个示例实施方式中，集成硅光子波分解复用器包括输入波导、输入端口、多个输出波导、多个输出端口、第一辅助波导和多个辅助波导。输入波导可以形成在第一层中并且具有第一有效折射率n1。输入端口可以光学地耦合至输入波导。输出波导可以形成在第一层中并且可以具有第一有效折射率n1。输出端口中的每一个可以光学地耦合至对应的输出波导。第一辅助波导可以形成在第二层中，在第一层中的输入波导下方。第一辅助波导可以具有第二有效折射率n2并且可以具有两个锥形端，并且n2可以高于n1。
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公开(公告)号：CN107111056A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073094.8
申请日：2015-11-11
申请人： 菲尼萨公司
摘要： 在一个实例中，耦合系统包括第一波导、至少一个第二波导和中介件。第一波导具有第一折射率n1和锥形端。至少一个第二波导各自具有第二折射率n2。中介件包括具有第三折射率n3和耦合器部分的第三波导，其中n1>n2>n3。第一波导的锥形端绝热耦合至至少一个第二波导中的一个的耦合器部分。至少一个第二波导中的一个的锥形端绝热耦合至中介件的第三波导的耦合器部分。耦合系统被构造为在第一波导和至少一个第二波导之间以及在至少一个第二波导和第三波导之间绝热耦合光。
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公开(公告)号：CN111226147A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880064598.7
申请日：2018-08-03
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 罗英 , 李珍亨 , 林诗韵
摘要： 在一个示例实施方式中，集成硅光子波分解复用器包括输入波导、输入端口、多个输出波导、多个输出端口、第一辅助波导和多个辅助波导。输入波导可以形成在第一层中并且具有第一有效折射率n1。输入端口可以光学地耦合至输入波导。输出波导可以形成在第一层中并且可以具有第一有效折射率n1。输出端口中的每一个可以光学地耦合至对应的输出波导。第一辅助波导可以形成在第二层中，在第一层中的输入波导下方。第一辅助波导可以具有第二有效折射率n2并且可以具有两个锥形端，并且n2可以高于n1。
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公开(公告)号：CN109313311A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037322.5
申请日：2017-05-16
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 布赖恩·帕克
摘要： 一种光学系统，包括硅(Si)衬底(102)、形成在衬底(102)上的隐埋氧化物(BOX)层(104)，形成在BOX层上方的氮化硅(SiN)层(112)，以及形成在SiN层(112)中的SiN波导(114)。在一些实施例中，光学系统可以另外包括绝热耦合到SiN波导(114)的中介层波导(116)，以形成SiN-中介层绝热耦合器，其至少包括SiN波导的锥形部分，该光学系统还包括以下中的至少一个：至少在SiN-中介层绝热耦合器下方形成在Si衬底中的空腔(402)或在SiN波导的SiN核心的顶部和中介层波导的底部之间形成的氧化物覆盖层(822)。可替换地或另外地，光学系统可以另外包括多模Si-SiN绝热耦合器，其包括SiN波导的SiN锥形(1008)和Si波导的Si锥形(1006)。
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公开(公告)号：CN108603978A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081480.6
申请日：2016-12-09
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 贾里德·米克尔森
摘要： 集成光学部件包括至少一个输入波导，至少一个输出波导，具有第一折射率n1的第一平板波导。第一平板波导可以设置在输入波导中的至少之一与输出波导中的至少之一之间。集成光学部件还可以包括具有第二折射率n2的第二平板波导。集成光学部件还可以包括具有第三折射率n3的第三覆盖平板。第三覆盖平板可以设置在第一平板和第二平板之间。第二平板波导的厚度和第三平板波导的厚度可调整以减小集成光学部件的双折射率。
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公开(公告)号：CN108603978B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680081480.6
申请日：2016-12-09
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 贾里德·米克尔森
摘要： 集成光学部件包括至少一个输入波导，至少一个输出波导，具有第一折射率n1的第一平板波导。第一平板波导可以设置在输入波导中的至少之一与输出波导中的至少之一之间。集成光学部件还可以包括具有第二折射率n2的第二平板波导。集成光学部件还可以包括具有第三折射率n3的第三覆盖平板。第三覆盖平板可以设置在第一平板和第二平板之间。第二平板波导的厚度和第三覆盖平板的厚度可调整以减小集成光学部件的双折射率。
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公开(公告)号：CN109313311B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201780037322.5
申请日：2017-05-16
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 布赖恩·帕克
摘要： 一种光学系统，包括硅(Si)衬底(102)、形成在衬底(102)上的隐埋氧化物(BOX)层(104)，形成在BOX层上方的氮化硅(SiN)层(112)，以及形成在SiN层(112)中的SiN波导(114)。在一些实施例中，光学系统可以另外包括绝热耦合到SiN波导(114)的中介层波导(116)，以形成SiN‑中介层绝热耦合器，其至少包括SiN波导的锥形部分，该光学系统还包括以下中的至少一个：至少在SiN‑中介层绝热耦合器下方形成在Si衬底中的空腔(402)或在SiN波导的SiN核心的顶部和中介层波导的底部之间形成的氧化物覆盖层(822)。可替换地或另外地，光学系统可以另外包括多模Si‑SiN绝热耦合器，其包括SiN波导的SiN锥形(1008)和Si波导的Si锥形(1006)。
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