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公开(公告)号：CN108508533A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810310306.5
申请日：2018-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺，其中，波导芯片包括基底；基底顶部开设第一Y型分支结构，第一Y型分支结构的两个分支处均开设有第二Y型分支结构形成四个分支作为分光区域；第一Y型分支结构和第二Y型分支结构前段以及底层波导芯层构成低折射率差的单条形波导结构形成光的单模传输，第二Y型分支结构后段、底层波导芯层和顶部波导芯层构成高折射率差的双条形波导组合结构形成光的多模传输；每一第二Y型分支结构顶部后段的包覆层上间隔开设若干凹槽并裸露顶部波导芯层作为传感窗口。
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公开(公告)号：CN107667306A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680031753.6
申请日：2016-04-20
Applicant: 斯考皮欧技术有限公司
Inventor： 达米安·兰贝特
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169
Abstract: 一种方法形成用于波导的垂直输出耦合器，所述波导通过覆于埋氧层上的波导材料沿水平传播方向传播光。该方法包括蚀刻波导以去除波导的一部分。蚀刻形成至少第一平面，所述至少第一平面在波导的边缘处、与波导的去除部分相邻，并且以相对于传播方向20度至70度之间的垂直角度倾斜。该方法还包括用反射性金属涂覆第一倾斜平面以形成镜，使得镜将光反射成具有垂直分量的方向。
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公开(公告)号：CN104704408B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201380052754.5
申请日：2013-08-02
Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
Inventor： W·沙德
IPC: G02B6/138
CPC classification number: G02B6/1225 , G01K11/3206 , G01L1/246 , G02B6/107 , G02B6/12007 , G02B6/12009 , G02B6/1221 , G02B6/124 , G02B6/132 , G02B6/29395 , G02B2006/12138
Abstract: 本发明涉及一种具有至少一个光子组件(4)的平面光学元件(1)，该光子组件(4)排列在至少一个基质(2)上，该基质(2)包含至少一个聚合物或者由至少一个聚合物构成，其中基质(2)包括至少一个第一薄膜层(21)和第二薄膜层(22)，该第一薄膜层(21)具有第一侧(211)以及相对第二侧(212)，而第二薄膜层(22)具有第一侧(221)以及相对第二侧(222)，其中第二薄膜层(22)的第一侧(221)排列在第一薄膜层(21)的第二侧(212)，并且至少第二薄膜层(22)至少在子区域(225)含有纳米线(3)。本发明还涉及相应的传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104335088B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380029344.9
申请日：2013-03-13
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 汤姆·柯林斯
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/13 , G02B6/132 , G02B6/136 , H01L27/144 , H01L31/02327
Abstract: 一种光子电路(400)制造工艺，包括：在第一晶片(101)上制造包含下包覆氧化层(102)和高折射率波导层(103)的第一层堆栈；确定所述高折射率波导层(103')的模型，以生成无源光子结构；平整所述第一层堆栈，所述第一层堆栈上厚度小于300纳米的平整氧化层(104)位于所述高折射率波导层(103)的上方；平整氧化层之前和/或之后，给所述模型化的高折射率波导层(103')退火；在第二晶片(201)上制造包含可分离的单晶硅波导层(203)的第二层堆栈；转移并键合所述第一层堆栈和所述第二层堆栈；在所述单晶硅波导层(203')内制造有源光子器件；及实现所述单晶硅波导层(203')和所述高折射率波导层(103")之间的渐逝波耦合。
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公开(公告)号：CN104282794B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410331190.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/132 , G02B6/134 , G02B6/136 , H01L31/105 , H01L31/1808
Abstract: 本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105869592A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610384102.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 曹丹
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3696 , G09G2300/0871 , G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/132 , G02B6/25 , G02B6/0083
Abstract: 本发明公开了一种显示面板以及切角电路。该切角电路包括切角芯片、比较模块以及调整模块，调整模块耦接切角芯片和比较模块，切角芯片的输出端用于输出切角电压，比较模块的第一输入端耦接切角芯片的输出端，获取第一电压，比较模块将第一电压与预设的电压阈值进行比较，在第一电压小于电压阈值时，比较模块产生控制信号，调整模块根据控制信号提高切角电压的下限值。通过上述方式，本发明能够提高切角电压的精确度，并且提升产品的性能。
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公开(公告)号：CN105210175A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201380069999.9
申请日：2013-11-12
Applicant: 德玛雷有限责任公司
Inventor： R·欧内斯特·德玛雷
IPC: H01L21/203
CPC classification number: G02B6/122 , C23C14/044 , C23C14/083 , G02B6/0003 , G02B6/1228 , G02B6/132 , G02B6/14 , G02B6/305 , G02B6/4212 , G02B19/0042 , G02B2006/12147 , H05K999/99 , Y10T74/18576
Abstract: 公开了沉积材料以提供光从第一装置至第二装置的有效耦合的方法。一般地，所述方法包括如下步骤：将一个或多个晶片安装在旋转台上，一个或多个源靶下方连续旋转所述旋转台。供给处理气体，并且所述一个或多个源靶被驱动，同时使用射频偏压偏压晶片以在一个或多个晶片上沉积光学介电薄膜。在一些实施例中，荫罩板在沉积期间可以在一个或多个晶片上横向地平移。在一些实施例中，沉积的薄膜可以具有横向和/或水平的变化的折射率和/或横向的变化的厚度。
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公开(公告)号：CN104898307A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510088805.0
申请日：2015-02-26
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0121 , G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/2808 , G02B6/42 , G02B6/4246 , G02B2006/1204 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/0327 , G02F1/0356 , G02F1/2252 , G02F1/2255 , G02F2001/212
Abstract: 一种光模块包括RF引脚、在FPC上的下面行中的多个DC引脚、在上面行中的多个DC引脚、以及多个布线。在上面行中的多个DC引脚被布置成比FPC上的下面行中的多个DC引脚更靠近DC电极。多个布线从下面行中的多个DC引脚延伸穿过与RF引脚相对的侧面并到达DC电极。
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公开(公告)号：CN104730621A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510097954.3
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/132 , G02B2006/1215
Abstract: 本发明涉及一种基于金属-介电层-半导体复合纳米结构的光波导分束器及其制备方法，属于光集成器件技术领域。本发明首次利用金属材料与半导体材料之间的光学耦合在微纳尺度范围内设计了一种光波导分束器。本发明所设计的光波导分束器包括半导体层、介电层、纳米金属颗粒层，所述介电层位于半导体层与纳米金属颗粒层之间；所述半导体层为CdS等半导体材料纳米带；所述介电层为HfO2等高电阻率材料层；所述纳米金属颗粒层为Au等贵重金属纳米颗粒层，所述纳米金属颗粒以周期性阵列结构附着在介电层上。本发明对于实现纳米级的光集成器件以及多光束干涉具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104345385A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410690158.6
申请日：2014-11-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器，包括硅衬底、下包层和波导芯层，所述下包层设于所述硅衬底的上表面，所述波导芯层设于所述下包层的上表面，所述波导芯层采用掺杂稀土钕配合物的聚合物材料。本发明还公开了一种掺杂稀土钕配合物的硅基聚合物平面光波导放大器的制备方法，其包括旋转涂覆、磁控溅射、光刻显影、反应离子刻蚀等步骤。本发明采用掺杂稀土钕配合物的聚合物材料作为波导芯层材料，波导芯层的折射率改变量大且在一定范围内可调，增益性能好，波导芯层与硅基材料相容性好，容易实现与分束器、光开关等各类硅基光学器件的集成；工艺简单，生产成本低。
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