公开(公告)号：CN106068471B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580012338.1

申请日：2015-03-09

Applicant: 斯考皮欧技术有限公司

Inventor： 李国良 ,  尼基希尔·库马尔 ,  哈桑·沙乌什

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S3/1003 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12147 ,  H01S3/0315 ,  H01S3/063 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/08009 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/141 ,  H01S5/3013

Abstract: 光学定向耦合器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端。耦合器由被布置在衬底上的肩部以及被布置在肩部上的第一脊部和第二脊部构成。第一脊部从第一输入端延伸至第一输出端。第二脊部从第二输入端延伸至第二输出端。肩部、第一脊部以及第二脊部锥化以提供耦合并且被修改以选择耦合比。此外，可调谐激光器具有第一镜、第二镜、增益介质以及定向耦合器。第一镜和第二镜形成光学谐振腔。增益介质和定向耦合器至少部分地处于光学谐振腔的光路中。定向耦合器提供用于可调谐激光器的输出耦合器。

公开(公告)号：CN104185932A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201280066213.3

申请日：2012-11-08

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： D·V·库克森考弗 ,  李沈平 ,  H·K·恩古耶 ,  C-E·扎

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/125

Abstract: 提供了一种多波长分布式布拉格反射(DBR)半导体激光器，其中DBR发热元件被放置在该DBR部分中的波导上方并且定义一交错温度分布，该分布生成多个不同的反射峰，这些反射峰对应于与该温度分布有关的依赖于不同温度的布拉格波长。被放置在该DBR部分中的波导上方的DBR发热元件的相邻发热元件对是沿光传播轴方向间隔的，所间隔的距离等于或大于激光器芯片厚度b，以最小化该交错温度分布的不同温度区域之间的热串扰的影响。

公开(公告)号：CN103730832A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310240274.3

申请日：2013-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽 ,  I.施彻巴特科

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/105 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18363 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2063

Abstract: 本公开提供一种用于光子集成电路（PIC）的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括：光栅反射镜，在两个低折射率层之间；光波导，光耦合到光栅反射镜；III-V半导体层，包括有源层，设置在两个低折射率层的中的一个上；以及上反射镜，覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。

公开(公告)号：CN103579903A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328802.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 早川明宪 ,  松本武

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/343 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/163

Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件及其制造方法。该光学半导体器件包括：半导体衬底；下部覆层，形成在半导体衬底上方；量子阱有源层，形成在下部覆层上；衍射光栅层，形成在量子阱有源层上方且在其表面中形成有衍射光栅；以及上部覆层，形成在衍射光栅层的衍射光栅上。另外，量子阱有源层的相邻于光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于量子阱有源层的位于外部区域之间的内部区域中的带隙，以及包括下部覆层且布置在半导体衬底与量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。

公开(公告)号：CN1554138A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02817689.8

申请日：2002-07-17

Applicant: 马科尼英国知识产权有限公司

Inventor： I·H·惠特 ,  R·V·庞蒂 ,  A·沃富尔

IPC: H01S5/0625

CPC classification number: H01S5/026 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5054 ,  H01S5/509

Abstract: 一种WDM光波长转换器(70)，用于将第一WDM波长信道(λ1)中的已调制辐射转换为另一个WDM波长信道(λ2)中相应的已调制辐射，该WDM光波长转换器包括：与半导体光放大器(SOA)(72)集成在一起的半导体激光器(例如，采样光栅分布式布拉格反射镜SGDBR设备)，该转换器的特征在于，该激光器(74)在至少多个波长信道上是波长可调谐的，优选地，在所有波长信道上是可调谐的。

公开(公告)号：CN106068471A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580012338.1

申请日：2015-03-09

Applicant: 斯考皮欧技术有限公司

Inventor： 李国良 ,  尼基希尔·库马尔 ,  哈桑·沙乌什

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S3/1003 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12147 ,  H01S3/0315 ,  H01S3/063 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/08009 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/141 ,  H01S5/3013

Abstract: 光学定向耦合器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端。耦合器由被布置在衬底上的肩部以及被布置在肩部上的第一脊部和第二脊部构成。第一脊部从第一输入端延伸至第一输出端。第二脊部从第二输入端延伸至第二输出端。肩部、第一脊部以及第二脊部锥化以提供耦合并且被修改以选择耦合比。此外，可调谐激光器具有第一镜、第二镜、增益介质以及定向耦合器。第一镜和第二镜形成光学谐振腔。增益介质和定向耦合器至少部分地处于光学谐振腔的光路中。定向耦合器提供用于可调谐激光器的输出耦合器。

公开(公告)号：CN103988379B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280060429.9

申请日：2012-12-05

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 野田进 ,  黑坂刚孝 ,  渡边明佳 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩

IPC: H01S5/50

CPC classification number: H01S5/105 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06243 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4056

Abstract: 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。

公开(公告)号：CN105075037A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380071405.8

申请日：2013-11-26

Applicant: 统雷量子电子有限公司

Inventor： C·G·卡诺 ,  小劳伦斯·C·休斯 ,  F·谢 ,  C·E·扎赫

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/0687 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/4087

Abstract: 单片可调谐中红外激光器具有3-14μm的范围内的波长范围，并且包括异构量子级联有源区域、连同至少第一集成光栅。异构量子级联有源区域包括至少一个叠层，该叠层包括两个级，可取地，至少三个不同的级。还公开了操作和校准激光器的方法。

公开(公告)号：CN107624206A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201680024843.2

申请日：2016-04-27

Applicant: 苹果公司

Inventor： R·M·奥德特 ,  M·A·阿尔伯雷 ,  A·比斯穆托 ,  Y·比达奥克斯 ,  C·塔迪 ,  T·格雷沙 ,  A·J·A·穆勒

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3401

Abstract: 本发明公开了一种游标效应DBR激光器，该游标效应DBR激光器具有沿着所述激光器长度均匀的激光器注入电流泵浦。所述激光器可以包括与激光器注入元件分开的一个或多个调谐元件，并且这些调谐元件可以用于控制所述激光器的一个或多个部分的温度或模式折射率。通过温度变化、电光效应或经由一个或多个调谐元件的其他手段，可以直接控制每个衍射光栅的折射率。通过直接控制所述衍射光栅的温度和/或折射率，所述均匀泵浦型游标效应DBR激光器可能够具有更宽的调谐范围。另外，通过单个电极实现所述激光器的均匀泵浦可以减少或消除由例如激光器脊上的金属触点之间的间隙造成的界面反射，这样可以尽可能减少多模式操作和模式跳跃。

公开(公告)号：CN104185932B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280066213.3

申请日：2012-11-08

Applicant: 索雷博量子电子股份有限公司

Inventor： D·V·库克森考弗 ,  李沈平 ,  H·K·恩古耶 ,  C-E·扎

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/125

Abstract: 提供了一种多波长分布式布拉格反射(DBR)半导体激光器，其中DBR发热元件被放置在该DBR部分中的波导上方并且定义一交错温度分布，该分布生成多个不同的反射峰，这些反射峰对应于与该温度分布有关的依赖于不同温度的布拉格波长。被放置在该DBR部分中的波导上方的DBR发热元件的相邻发热元件对是沿光传播轴方向间隔的，所间隔的距离等于或大于激光器芯片厚度b，以最小化该交错温度分布的不同温度区域之间的热串扰的影响。