分析仪、吸收特性计算电路、以及分析方法

    公开(公告)号:CN109115715A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810643461.9

    申请日:2018-06-21

    Inventor: 福冈隆

    Abstract: 本发明涉及分析仪、吸收特性计算电路、以及分析方法。一种分析仪,包括:量子级联激光器,其将周期驱动信号转换成激光;光接收器,其接收已通过样品的激光并输出取决于激光的强度检测信号;以及数据计算部分,其输出表示样品的吸收特性的信息。数据计算部分包括:延迟单元,其通过对参考驱动信号施加时间延迟来产生延时波形;加法单元,其通过将延时波形和检测信号相加来产生对称波形;时间反转单元,其通过对对称波形进行时间反转来产生时间反转波形;以及减法单元,其产生时间反转波形与对称波形之间的波形差。数据计算部分通过改变时间延迟来重复计算波形差,直到波形差最小。

    热光可调激光器系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103907248A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201280023504.4

    申请日:2012-05-16

    Abstract: 一种可调激光器包括:固态激光介质,具有光学增益区,并且通过晶面产生相干辐射。透镜收集相干辐射并且产生准直束。外腔的部件包括反射面和光学滤波器,所述反射面将准直束反射回透镜和激光介质,所述光学滤波器位于反射面和透镜之间并且具有两个表面,所述两个表面具有在激光介质的光学增益区内的热可调光学透射带。所述光学滤波器(1)在所需的操作波长下透射入射的准直束的主要部分,以及(2)从每个表面镜面反射入射的准直束的其余部分,所述准直束入射到光学滤波器上,使得反射的准直束相对于入射的准直束成非零角度地传播。

    量子级联激光器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106165219A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201580011072.9

    申请日:2015-09-17

    Inventor: 薮原秀彦

    Abstract: 量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层,该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中,上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。

    激光表征系统和过程
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103339808A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201180066671.2

    申请日:2011-12-01

    Abstract: 一种用于自动表征从半导体晶片分离的半导体条上的多个外腔半导体激光器芯片的系统和过程。该系统包括:衍射光栅,被安装在旋转台上,用于使衍射光栅转动通过衍射角范围;操纵镜,被安装在旋转台上并被定向成垂直于衍射光栅的表面;激光分析仪;以及激光器条定位台。该定位台被自动移动以使平台上的激光器条中的每个激光器芯片与衍射光栅对准(一次一个芯片),使得从激光器条中的激光器芯片发出的激光束的部分被光栅的一阶衍射反射回同一激光器芯片以锁定激射波长,并且激光束被操纵镜反射的余下部分被激光分析仪接收并表征。对于每个激光器芯片,旋转台被自动转动以使衍射光栅相对于激光器芯片所发出的激光束转动通过衍射角范围,并且激光分析仪自动地表征每个衍射角下的激光器光学性质(诸如光谱、功率或空间模式)。

    波导、包括波导的装置和波导的制造方法

    公开(公告)号:CN102790356B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201210148481.1

    申请日:2012-05-14

    Inventor: 小山泰史

    Abstract: 本公开涉及波导、包括波导的装置和波导的制造方法。提供一种能够抑制由于制造过程等在初始阶段或操作中在半导体中导致的应变和缺陷,以实现诸如振荡特性的特性的改善和稳定化的波导以及该波导的制造方法。波导包括:由相对于波导模式的电磁波介电常数的实部为负的负介电常数介质构成的第一导体层和第二导体层;和与第一导体层和第二导体层接触并被设置在其间并包含半导体部分的芯层。至少第一导体层具有沿面内方向延伸的特定的凹凸结构。

    量子级联激光元件
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103797668A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201280042684.0

    申请日:2012-08-01

    Abstract: 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是:在本发明的一个实施方式中,提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000),该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10),该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U),该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B),势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0

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