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公开(公告)号:CN109115715A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810643461.9
申请日:2018-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor: 福冈隆
IPC: G01N21/3504
CPC classification number: G01N21/1702 , G01J3/10 , G01J3/28 , G01J3/42 , G01N21/3504 , G01N21/39 , G01N2021/399 , H01S5/06213 , H01S5/0622 , H01S5/06255 , H01S5/3401
Abstract: 本发明涉及分析仪、吸收特性计算电路、以及分析方法。一种分析仪,包括:量子级联激光器,其将周期驱动信号转换成激光;光接收器,其接收已通过样品的激光并输出取决于激光的强度检测信号;以及数据计算部分,其输出表示样品的吸收特性的信息。数据计算部分包括:延迟单元,其通过对参考驱动信号施加时间延迟来产生延时波形;加法单元,其通过将延时波形和检测信号相加来产生对称波形;时间反转单元,其通过对对称波形进行时间反转来产生时间反转波形;以及减法单元,其产生时间反转波形与对称波形之间的波形差。数据计算部分通过改变时间延迟来重复计算波形差,直到波形差最小。
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公开(公告)号:CN103907248A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201280023504.4
申请日:2012-05-16
Applicant: 红移系统有限公司
CPC classification number: H01S5/068 , B82Y20/00 , G02B5/288 , H01S3/1062 , H01S5/02446 , H01S5/028 , H01S5/141 , H01S5/3401
Abstract: 一种可调激光器包括:固态激光介质,具有光学增益区,并且通过晶面产生相干辐射。透镜收集相干辐射并且产生准直束。外腔的部件包括反射面和光学滤波器,所述反射面将准直束反射回透镜和激光介质,所述光学滤波器位于反射面和透镜之间并且具有两个表面,所述两个表面具有在激光介质的光学增益区内的热可调光学透射带。所述光学滤波器(1)在所需的操作波长下透射入射的准直束的主要部分,以及(2)从每个表面镜面反射入射的准直束的其余部分,所述准直束入射到光学滤波器上,使得反射的准直束相对于入射的准直束成非零角度地传播。
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公开(公告)号:CN105556263B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201380073561.8
申请日:2013-12-03
Applicant: 易麦思国际有限责任公司
Inventor: 丹尼尔·李·格雷比尔 , 罗杰斯·艾伦·凯里
IPC: G01J3/42
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/0205 , G01J3/021 , G01J3/0218 , G01J3/0245 , G01J3/108 , G01J3/42 , G01N21/3504 , G01N21/39 , G01N2021/399 , G01N2201/06113 , G01N2201/0612 , G01N2201/0691 , G01N2201/0697 , G01N2201/08 , H01S5/3401
Abstract: 用于在气态样本中检测微量分析物的内腔式激光吸收红外线光谱系统。该系统使用光谱仪与控制电子设备通信,其中,控制电子设备包括分析物数据库,分析物数据库包括用于系统所要检测的每一种分析物的吸收参数。该系统不仅能检测特定分析物的存在,也能识别它们。光谱仪使用在设备内部创建连续回路的空心腔波导,从而创建了大路径长度并消除对机械地调整路径长度以实现高Q因数的需求。激光源可作为检测器,这样将消除对单独的检测器的需求。
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公开(公告)号:CN106165219A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201580011072.9
申请日:2015-09-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 薮原秀彦
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S5/34 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S5/34366 , H01S2301/17
Abstract: 量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层,该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中,上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。
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公开(公告)号:CN103339808A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201180066671.2
申请日:2011-12-01
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S3/1055 , H01S3/101
CPC classification number: H01S5/0042 , B82Y20/00 , G01J1/0403 , G01J1/0407 , G01J1/0414 , G01J3/021 , G01J3/1804 , G01J2001/4247 , G01R31/2635 , H01S5/141 , H01S5/3401
Abstract: 一种用于自动表征从半导体晶片分离的半导体条上的多个外腔半导体激光器芯片的系统和过程。该系统包括:衍射光栅,被安装在旋转台上,用于使衍射光栅转动通过衍射角范围;操纵镜,被安装在旋转台上并被定向成垂直于衍射光栅的表面;激光分析仪;以及激光器条定位台。该定位台被自动移动以使平台上的激光器条中的每个激光器芯片与衍射光栅对准(一次一个芯片),使得从激光器条中的激光器芯片发出的激光束的部分被光栅的一阶衍射反射回同一激光器芯片以锁定激射波长,并且激光束被操纵镜反射的余下部分被激光分析仪接收并表征。对于每个激光器芯片,旋转台被自动转动以使衍射光栅相对于激光器芯片所发出的激光束转动通过衍射角范围,并且激光分析仪自动地表征每个衍射角下的激光器光学性质(诸如光谱、功率或空间模式)。
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公开(公告)号:CN109149367A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810621937.9
申请日:2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor: 吉永弘幸
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/343 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法。量子级联激光器包括:激光器结构,所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区,第一区具有端面;高比电阻区,所述高比电阻区被设置在第一区和第二区的主表面上;金属层,所述金属层被设置在第三区的主表面上;介电膜,所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上;以及反射金属膜,所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有半导体台面和半导体基部。半导体基部安装半导体台面。介电膜在第一区与第二区之间的边界处具有水平差,并且台阶在与第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。
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公开(公告)号:CN106062536A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580011070.X
申请日:2015-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/39 , G01N21/01 , G01N21/3504 , G01N33/497 , H01S5/343
CPC classification number: G01N21/3504 , A61B5/00 , A61B5/0059 , A61B5/082 , G01N21/05 , G01N21/39 , G01N33/004 , G01N33/497 , G01N2021/399 , G01N2201/12 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S5/34346
Abstract: 呼气诊断装置包括气室部、光源部、检测部和控制部。所述气室部包括供包含呼气的试样气体导入的空间,所述呼气含有二氧化碳的第一同位素和二氧化碳的第二同位素。所述光源部向所述空间射入光。所述光源部使所述光的波长在4.34微米以上且4.39微米以下的波段内进行变化。所述检测部实施下述动作,该动作包括:第一检测,对通过了导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测;以及第二检测,对通过了未导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测。所述控制部根据所述第一检测的结果和所述第二检测的结果,计算出所述试样气体中的所述第二同位素的量相对于所述第一同位素的量之比。
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公开(公告)号:CN102790356B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201210148481.1
申请日:2012-05-14
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 小山泰史
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/2018 , H01S5/3401 , H01S2302/02 , Y10T29/49016
Abstract: 本公开涉及波导、包括波导的装置和波导的制造方法。提供一种能够抑制由于制造过程等在初始阶段或操作中在半导体中导致的应变和缺陷,以实现诸如振荡特性的特性的改善和稳定化的波导以及该波导的制造方法。波导包括:由相对于波导模式的电磁波介电常数的实部为负的负介电常数介质构成的第一导体层和第二导体层;和与第一导体层和第二导体层接触并被设置在其间并包含半导体部分的芯层。至少第一导体层具有沿面内方向延伸的特定的凹凸结构。
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公开(公告)号:CN103797668A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280042684.0
申请日:2012-08-01
Applicant: 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3401 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0035 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/3402 , H01S2302/02
Abstract: 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是:在本发明的一个实施方式中,提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000),该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10),该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U),该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B),势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0
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公开(公告)号:CN108376906A
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201711458545.7
申请日:2017-12-28
Applicant: 安捷伦科技有限公司
Inventor: G·派特里奇
CPC classification number: H01S5/141 , H01S3/08059 , H01S3/1003 , H01S3/1055 , H01S3/125 , H01S5/1025 , H01S5/1092 , H01S5/14 , H01S5/3401 , H01S5/06
Abstract: 本申请公开一种光源,其具有增益芯片、逆反射棱镜和第一促动器。增益芯片放大穿过其中的光。逆反射棱镜的特征在于逆反射棱镜内的枢转轴线、输入光方向、输出光方向和衍射光栅,所述衍射光栅接收由增益芯片发射的在输入方向上行进的光、使衍射光束沿输入光方向返回到增益芯片、并产生输出光束。第一促动器响应于与第一促动器耦合的控制信号而使逆反射棱镜围绕枢转轴线旋转。
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