-
公开(公告)号：CN103178067A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210557218.8
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。
-
公开(公告)号：CN102916344B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210276138.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S1/00 , H01S5/12 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层，设有脊形波导。并且，上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造，在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面，从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm，具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。
-
公开(公告)号：CN113394266B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110259415.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 具有第一电极、包含绝缘部及导电部的构造体、栅极电极和第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向和与第一方向垂直且与第二方向相交的第三方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域及第三半导体区域并列。导电部设置于绝缘部中，并具有在第二方向及第三方向上与第一半导体区域对置的部分。栅极电极在第二方向及第三方向上与第二半导体区域对置。第二电极设置于第二半导体区域、第三半导体区域及构造体上，与第二半导体区域、第三半导体区域及导电部电连接。构造体沿着第二方向及第三方向设置多个。在与第一方向垂直的方向上的绝缘部的厚度μm与半导体装置的产品耐压V之比μm/V为0.0055以下。
-
公开(公告)号：CN103178067B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210557218.8
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。
-
公开(公告)号：CN102916344A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210276138.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S1/00 , H01S5/12 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层，设有脊形波导。并且，上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造，在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面，从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm，具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380364A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410041304.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及接合装置以及接合方法，能够提高被接合部件彼此的密接性。实施方式的接合装置具有工作台以及具有按压部的压头。在工作台上载放第1被接合部件。压头的按压部为，在使第2被接合部件的平面相对于第1被接合部件的与相对于工作台接触的接触面相反侧的平面接触、并将第2被接合部件载放于第1被接合部件的规定部位的状态下，将第2被接合部件朝向第1被接合部件加压。此时，压头的按压部形成为，使与第2被接合部件接触的接触区域从第2被接合部件的形心或者其附近呈环状扩展。
-
公开(公告)号：CN106165219B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201580011072.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 薮原秀彦
Abstract: 量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层，该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中，上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。
-
公开(公告)号：CN106165219A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580011072.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 薮原秀彦
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S5/34 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S5/34366 , H01S2301/17
Abstract: 量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层，该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中，上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。
-
公开(公告)号：CN118380363A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410040788.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及接合装置以及接合方法，能够提高被接合部件彼此的密接性。实施方式的被接合部件彼此的接合装置具有载放第1被接合部件的工作台、压头以及可动部。压头在使第2被接合部件的平面相对于第1被接合部件的与相对于上述工作台接触的接触面相反侧的平面接触的状态下，将上述第2被接合部件的与上述平面相反侧的面朝向上述第1被接合部件的上述平面按压。可动部设置在压头的周围，在第2被接合部件的相反侧的面上，规定出从面向压头的前端的位置朝向第2被接合部件的边缘部的加压空气的流路。
-
公开(公告)号：CN113394266A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110259415.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 具有第一电极、包含绝缘部及导电部的构造体、栅极电极和第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向和与第一方向垂直且与第二方向相交的第三方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域及第三半导体区域并列。导电部设置于绝缘部中，并具有在第二方向及第三方向上与第一半导体区域对置的部分。栅极电极在第二方向及第三方向上与第二半导体区域对置。第二电极设置于第二半导体区域、第三半导体区域及构造体上，与第二半导体区域、第三半导体区域及导电部电连接。构造体沿着第二方向及第三方向设置多个。在与第一方向垂直的方向上的绝缘部的厚度μm与半导体装置的产品耐压V之比μm/V为0.0055以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.018 seconds)
