公开(公告)号：CN103178067B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210557218.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 薮原秀彦 ,  广谷太志 ,  片冈淳司 ,  龟冈恒志

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1608 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。

公开(公告)号：CN103178067A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210557218.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 薮原秀彦 ,  广谷太志 ,  片冈淳司 ,  龟冈恒志

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1608 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。