公开(公告)号：CN1273448A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00106200.X

申请日：2000-05-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 大西俊一 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  高森晃

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光装置包括:第一导电型的半导体基片;基片上的第一导电型涂层;第一导电型涂层上的有源层,有源层具有超点阵结构,在激光腔端面附近有一无序化区;有源层上的第二导电型的第一涂层;第一涂层上的第二导电型的蚀刻停止层;蚀刻停止层上的第二导电型的第二涂层,第二涂层形成一凸脊结构,沿激光腔纵向伸展,具有预定宽度。蚀刻停止层中在激光腔端面附近的杂质浓度比激光腔内部的大,等于或小于约2×1018cm－3。

公开(公告)号：CN104205531B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380005249.5

申请日：2013-01-11

Applicant: 索雷博量子电子股份有限公司

Inventor： C·G·卡诺 ,  谢峰 ,  C-E·扎

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/34 ,  H01S5/12 ,  G01N21/39

CPC classification number: H01S5/3425 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/39 ,  G01N21/47 ,  G01N21/59 ,  G01N2201/0612 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/3402

Abstract: 公开了具有多个串联安排的激光部分的串接分布式反馈激光器。该串接分布式反馈激光器利用量子级联芯设计以在中红外区域中产生光学增益，并可同时或按顺序地生成若干个波长。还公开了制造和使用这样的设备的方法。

公开(公告)号：CN104319331B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410437730.8

申请日：2010-03-10

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 ,  迪泽尔·科尤恩 ,  克里斯托夫·艾克勒 ,  马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ,  斯蒂芬·鲁特格恩 ,  尤伟·斯特劳斯

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  Y10S977/95 ,  Y10S977/951 ,  H01L2924/00

Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。

公开(公告)号：CN104319331A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410437730.8

申请日：2010-03-10

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 ,  迪泽尔·科尤恩 ,  克里斯托夫·艾克勒 ,  马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ,  斯蒂芬·鲁特格恩 ,  尤伟·斯特劳斯

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  Y10S977/95 ,  Y10S977/951 ,  H01L2924/00

Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。

公开(公告)号：CN102916344B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210276138.5

申请日：2012-08-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高木茂行 ,  薮原秀彦 ,  前川阳 ,  藤井孝佳 ,  盐见康友

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/3402 ,  B82Y20/00 ,  H01S1/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层，设有脊形波导。并且，上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造，在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面，从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm，具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。

公开(公告)号：CN104380546A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380032979.4

申请日：2013-05-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 川口真生 ,  春日井秀纪 ,  能崎信一郎

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/3425 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01S5/022 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 有效地增加半导体发光元件的垂直光限制系数Γv，使振荡阈值电流降低。半导体发光元件(100)具备由III族氮化物半导体构成的n型光导层(3)、活性层(4)、以及p型光导层(5)，n型光导层(3)包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，在将III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×1018cm-3以上的AlInN构成，电流沿着半导体超晶格的层叠方向注入。

公开(公告)号：CN104205531A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380005249.5

申请日：2013-01-11

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： C·G·卡诺 ,  谢峰 ,  C-E·扎

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/34 ,  H01S5/12 ,  G01N21/39

CPC classification number: H01S5/3425 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/39 ,  G01N21/47 ,  G01N21/59 ,  G01N2201/0612 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/3402

Abstract: 本发明公开了具有多个串联安排的激光部分的串接分布式反馈激光器。该串接分布式反馈激光器利用量子级联芯设计以在中红外区域中产生光学增益，并可同时或按顺序地生成若干个波长。还公开了制造和使用这样的设备的方法。

公开(公告)号：CN1610995B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN03801821.7

申请日：2003-09-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤典文 ,  今西大介

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/32325 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/343 ,  H01S5/3436

Abstract: 一种光输出效率高的半导体激光器元件，具有电流限制效率高、泄漏电流小、且温度特性良好，呈现低阈值电流，能够有效地将激光束限制在条形区内，且具有良好的光束轮廓。此半导体激光器元件(100)具有叠层结构，此叠层结构包含n-AlInP包层(103)、超晶格有源层(104)、p-AlInP第一包层(105)、GaInP腐蚀停止层(106)、以及形成在各层上且加工成条形脊形式的p-AlInP第二包层(107)、GaInP保护层(108)、p-GaAs接触层(109)。p侧电极(111)形成并直接覆盖在脊的顶部表面、脊侧面、以及脊侧面上的腐蚀停止层上。由n-AlInP包层和p-AlInP第一包层将超晶格有源层夹在之间，能够提高与有源层的能带隙差别。

公开(公告)号：CN1610995A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN03801821.7

申请日：2003-09-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤典文 ,  今西大介

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/32325 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/343 ,  H01S5/3436

Abstract: 一种光输出效率高的半导体激光器元件，具有电流限制效率高、泄漏电流小、且温度特性良好，呈现低阈值电流，能够有效地将激光束限制在条形区内，且具有良好的光束轮廓。此半导体激光器元件(100)具有叠层结构，此叠层结构包含n－AlInP包层(103)、超晶格有源层(104)、p－AlInP第一包层(105)、GaInP腐蚀停止层(106)、以及形成在各层上且加工成条形脊形式的p－AlInP第二包层(107)、GaInP保护层(108)、p－GaAs接触层(109)。p侧电极(111)形成并直接覆盖在脊的顶部表面、脊侧面、以及脊侧面上的腐蚀停止层上。由n－AlInP包层和p－AlInP第一包层将超晶格有源层夹在之间，能够提高与有源层的能带隙差别。

公开(公告)号：CN107887790A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710888773.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 翁国恩 ,  陈少强 ,  胡小波

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/3408 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3425

Abstract: 本发明公开了一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域。采用非对称量子阱作为有源区来实现激光器的多波长输出，包括两个及两个以上激光波长。器件制备过程包括非平面金属键合、激光剥离、腔长控制以及图形化分布布拉格反射镜制作等。这种多波长面发射激光器具有巨大的应用潜力，可用于空间精确测距、太赫兹信号发生器、光混频、激光光谱学、医疗检测以及增强现实(AR)和三维成像等众多领域。本发明的优势还在于易于实现器件的二维阵列结构，非常适合大规模产业化生产，有利于器件的商品化与实用化。