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公开(公告)号：CN118092262A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410222161.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 华东师范大学 , 上海光矢科技有限公司
IPC: G05B19/042 , H01S5/042 , H01S5/06
Abstract: 本发明公开了一种对半导体激光器进行多参数独立调节的方法，通过双峰脉冲发生电路对半导体激光器的频率、脉宽、幅度和脉冲间距等多参数进行独立调节，双峰脉冲发生电路包括但不限于FPGA现场可编程门阵列、延时芯片窄脉冲产生模块、调幅模块和脉冲合成模块产生双峰脉冲信号输出，所述FPGA现场可编程门阵列连接延时芯片窄脉冲产生模块，延时芯片窄脉冲产生模块连接调幅模块，调幅模块连接脉冲合成模块。本发明提供一种对半导体激光器进行多参数独立调节的方法，为半导体激光器的驱动提供了更大的灵活性，用户可以根据具体应用需求精确调整这些关键参数，满足不同应用场景的要求，极具有应用前景。
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公开(公告)号：CN114598263A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210067518.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池伏安特性的自动检测方法，利用太阳能电池的绝对电致发光图像，自动检测太阳能电池的伏安特性，且检测结果不受额外接触电阻、寄生电阻等因素的影响。相对于传统利用CCD照相机获取太阳能电池相对电致发光图像的检测方法，本发明的检测方法能够直接获取太阳能电池的绝对电致发光强度分布信息；另一方面，本发明的检测方法主要利用电池的绝对电致发光特性来直接定量的获取电池的内部电压信息，由于电致发光特性不受电池内部串联电阻、外部电极接触电阻以及检测装置寄生电阻的影响，克服了传统检测方法受电池内部串联电阻、外部电极接触电阻以及检测装置寄生电阻影响较大的缺陷，本发明检测方法更加可靠。
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公开(公告)号：CN112039439B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010679006.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 华东师范大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池缺陷的自动检测系统，包括输入模块、电池位置识别模块、缺陷检测模块和缺陷分析模块；输入模块用于导入太阳能电池电致发光图像和图像信息；电池位置识别模块用于识别和截取输入图像的有效电池区域；缺陷检测模块用于寻找太阳能电池中的缺陷，并导出缺陷所处位置；缺陷分析模块用于提取太阳能电池在不同偏置条件下，缺陷沿某一方向的电致发光强度分布，以及缺陷电致发光强度损失率的变化。本发明还公开了一种太阳能电池缺陷的自动检测方法。本发明实现了太阳能电池缺陷的自动检测，提高了太阳能电池缺陷的检测和分析效率，并有助于对缺陷影响做深入研究。
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公开(公告)号：CN109672080B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910046828.3
申请日：2019-01-18
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化衬底的低阈值光泵浦随机激光器，首先制备一种具有图形化结构的衬底，然后在该图形化衬底上制备具有较强散射效应的激光增益材料，即构成所述低阈值光泵浦随机激光器。本发明采用的图形化衬底能够有效增强图形界面处光的散射效应，进而改变光在激光增益材料中的传播路径，使得部分耗散光经过图形化衬底的反射后能够重新进入增益材料内的闭合光回路中，提高该闭合光回路的光反馈（或增益），最终实现低阈值光泵浦随机激光输出。本发明提出的随机激光器结构简单，易于制备，且可以通过改变激光增益材料来实现激光波长的调控，在光学成像、投影、显示、医疗检测以及军事等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108092624B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201611044567.4
申请日：2016-11-22
Applicant: 华东师范大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池开路电压分布的检测装置，包括：太阳能电池片、光谱仪、光谱仪探头、光电探测器、光功率计、CCD照相机、遮光图形板、电流电压源、太阳能电池量子效率检测仪和计算机；CCD照相机置于太阳能电池片的表面，用于测量太阳能电池片的电致发光表面成像；光谱仪的探头置于太阳能电池片的表面，用于探测太阳能电池片的电致发光光谱；电流电压源的输出端与太阳能电池片连接；光电探测器置于太阳能电池片的表面，用于读取绝对电致发光强度或光功率；太阳能电池量子效率检测仪测量电池的外量子效率；CCD照相机与光谱仪的输出端均与计算机连接，根据绝对电致发光强度或光功率与太阳能电池片的外部量子效率以及电池内部电压的关系，得到电池表面开路电压的分布。本发明还公开了一种太阳能电池开路电压分布的检测方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108666594A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810289520.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01M8/0213 , H01M8/0223
Abstract: 本发明公开了一种双极板制作工艺，其步骤如下：(1)选用足量的聚乙烯石蜡，置于容器中加热直至全部熔化；(2)将石墨板浸入熔融的聚乙烯石蜡中，等到没有气泡冒出为止再拿出；(3)将经过渗蜡处理的石墨板包边并确保内部不漏液，然后通过PVC胶与电池的外壳相连。渗蜡处理的石墨板的两侧都和石墨毡连接分别作为电池的正极和负极；(4)再经过密封后这个石墨板就形成了两个电池串联的正负电极连接点，也就是双极板。本发明选取聚乙烯石蜡材料作为石墨板的填充物，一方面解决了石墨板的渗透问题，另一方面满足了锌碘电池中石墨板的导电性；形成了体积小、导电性能好的双极板；也解决了因为锌碘电池在使用过程中发热而导致的填充物熔化的问题。
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公开(公告)号：CN106877842A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710077987.0
申请日：2017-02-14
Applicant: 华东师范大学
IPC: H03K3/335
CPC classification number: H03K3/335
Abstract: 本发明公开了一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路，它包括：触发信号、雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路及阶跃恢复二极管脉冲整形电路。所述雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路接收触发信号,阶跃恢复二极管脉冲整形电路与雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路连接。本发明利用雪崩三极管Marx级联使得雪崩单元中储能电容采用并联充电、串联放电的形式产生大幅度脉冲，再利用阶跃恢复二极管的阶跃恢复特性产生大幅值的窄脉冲。其前后沿均较为陡峭，脉冲幅度介于20V~30V之间，脉冲宽度低至200ps以下，满足半导体激光器的脉冲驱动应用需求。
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公开(公告)号：CN117995328A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410235589.7
申请日：2024-03-01
Applicant: 华东师范大学
IPC: G16C60/00 , H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种后异质结结构GaAs基多结电池的性能优化方法，包括采用数值模拟后异质结结构的方法，将获取的器件特性用于分析各参数对后异质结结构多结电池的影响，并对其进行优化，其特点是采用QTX.MESH和QTY.MESH语句对多结电池的隧道结区域设置特殊网格，使用非局部带对带隧道模型，以及包含隧道结区域非局部耦合的BBT.NLDERIVS模型进行物理参数模型的声明，通过电流匹配研究与隧道结研究对含后异质结结构子结的GaAs基多结电池进行优化，具体包括：网格初始化、材料和掺杂的设置、获取器件特性和性能优化等步骤。本发明与现有技术相比具有分析各种参数对后异质结结构GaAs基多结电池的影响，并对其进行优化，为探索高性能的后异质结结构GaAs基太阳电池提供模型基础及理论预测，在太阳能电池生产中具有指导性的意义和作用，以及良好的运用前景和商业价值。
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公开(公告)号：CN114520271B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210078428.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0445 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。
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