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公开(公告)号：CN114520271A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210078428.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0445 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。
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公开(公告)号：CN103938156B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410097917.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜，其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材，靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法，清洗衬底，将靶材和衬底置于镀膜室内，调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃；调节使溅射气压为10Pa；在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转，靶材正转；衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min，保温30min。以每分钟20℃的速度降温，至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制，原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善，光学带隙变小，提高了BiFeO3薄膜的光伏性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103762257B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410021101.7
申请日：2014-01-17
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了铜锌锡硫吸收层薄膜的制备方法，采用电化学共沉积CZTS前驱体后硫化得到CZTS太阳能电池吸收层。本发明进一步公开了铜锌锡硫薄膜太阳能电池的制备方法。本发明可在常温常压下操作，易调控，避免H2S污染，设备简单，成本节约，制得的铜锌锡硫吸收层薄膜表面光滑且非常致密，制得的电池效率高，本发明可广泛用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN104157734A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410392589.4
申请日：2014-08-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在钠钙玻璃衬底上，先用射频磁控溅射法制备CuZnGe金属预置层，再进行硫化/硒化处理。本发明中磁控溅射采用单质铜靶，单质锌靶和单质锗靶；硫化反应/硒化反应在真空腔室中进行，将溅射所得的层状金属薄膜前驱体和硫粉/硒粉放置于石墨盒中，进行后硫化/后硒化的处理，得到铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层。本发明制备的薄膜太阳能电池吸收层具有原料来源丰富，对环境友好，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，制备工艺简单，适用于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103938169A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410141014.5
申请日：2014-04-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/58 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种可用于作为薄膜太阳能电池吸收层的铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4的制备方法，使用磁控溅射方法在玻璃衬底上自下而上依次沉积锡、铁、铜金属层，得到层状金属薄膜前驱体；然后，将所述层状金属薄膜前驱体置于石墨盒中并加入硒粉，一同放置于管式快速退火炉中进行后硒化处理，得到目的产物铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4；其中，所述铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4中的各金属元素含量是通过调节金属层的溅射沉积时间来调控。本发明方法简单方便，所述铜铁锡硒薄膜的组分含量可以精确控制，进而接近化学计量比，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887366A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410003109.0
申请日：2014-01-03
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , C23C14/542 , C23C14/0623 , C23C14/5866 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其中铜铟铝硒薄膜的组成式为：CuIn1-xAlxSe2，0≤x≤1，包括步骤：(1)依次使用丙酮、乙醇和去离子水对玻璃衬底进行超声清洗，清洗后置于去离子水中保存；(2)使用磁控溅射方法依次在玻璃衬底上沉积铜铟合金层、铝层、铜层，得到层状的金属薄膜前驱体；(3)将层状的金属薄膜前驱体和硒粉置于石墨盒中，进行后硒化处理，得到能带可调的铜铟铝硒薄膜。本发明通过控制溅射铜铟合金靶和铝靶的时间固定，而改变溅射铜靶的时间，从而获得不同组分比的铜铟铝硒薄膜，实现铜铟铝硒薄膜材料能带的调节。本发明方法简单方便，可实现铜铟铝硒薄膜的能带在微小范围内实现调节。
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公开(公告)号：CN101046459B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710040005.7
申请日：2007-04-26
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种多孔二氧化锡(SnO2)多层纳米薄膜及其合成方法，属气敏传感材料和气敏传感制备的技术领域。该薄膜为多层依次沉积在单晶硅基底上的多孔二氧化锡纳米薄膜，层数为6～12层。以金属无机盐SnCl2·2H2O和无水乙醇分别为前驱体和溶剂，经过制备用来制作二氧化锡纳米薄膜的溶液、加入表面活性剂、制备溶胶、匀胶、退火和得成品六个步骤，将多层多孔二氧化锡纳米薄膜依次沉积在单晶硅基底上，制得成品，多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的方法工艺简单，能制得化学稳定性好、功耗小、比表面积大和气敏灵敏度高的多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的薄膜适于用来制作测量微量气体的气敏传感器。
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公开(公告)号：CN114520271B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210078428.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0445 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。
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公开(公告)号：CN107991733A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610968602.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02328
Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤的制备方法，包括：配制二氧化锗的碱性水溶液，并用酸调节pH值；将溶液注入金属毛细管中，封闭金属毛细管的两端，放置在支架上并保持缓慢转动，在金属毛细管内液相沉积制备二氧化锗电介质膜；去除金属毛细管两端的封闭物倒出溶液；室温下向金属毛细管内吹入洁净的氮气或空气，干燥期间持续通入洁净的氮气或空气；结束干燥后得到金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明还公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明所提出的中远红外空芯光纤以金属毛细管为主体结构，韧性好，机械强度高，且低损耗窗口位置随氧化锗介质膜的厚度改变。
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公开(公告)号：CN103882383B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410002668.X
申请日：2014-01-03
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法，制得的Sb2Te3薄膜结构简单，操作方便，无需后退火过程，可以直接在高温下进行溅射生长，减少对薄膜的损伤，同时薄膜厚度可以通过控制沉积时间得到调整，薄膜表面形貌可以通过调节溅射气压和衬底温度和衬底材料得到改善。由本发明脉冲激光沉积方法制备的薄膜结晶质量高、表面平整，晶粒大小均匀，在器件应用上更加高效稳定，具有广泛应用前景。
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