公开(公告)号：CN114520271A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210078428.2

申请日：2022-01-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陶加华 ,  王丽君 ,  胡小波 ,  江锦春 ,  陈少强 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。

公开(公告)号：CN114520271B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210078428.2

申请日：2022-01-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陶加华 ,  王丽君 ,  胡小波 ,  江锦春 ,  陈少强 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。