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公开(公告)号：CN113921825A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111176291.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于水溶液电池的防渗导电石墨板的制备和标定方法。该发明中防渗导电石墨板的制备和标定方法如下：一、有机物高温熔融(或在加压环境中)；二、石墨板材料的浸泡过程；三、抛光洗涤、真空干燥；四、利用接触角测量仪观测防渗液效果。借由上述技术方案，生产了一种具备高导电性及防渗液功能导电石墨板，可提供与水溶液电池使用。与已知技术相较，以此种结构制成的水溶液电池导电石墨板，不仅可利用其优异的导电性能，提高水溶液电池的能量效率，而且以有机物包覆的石墨板可防止渗液，可提升电池的使用寿命，有助于扩展水溶液电池的应用范畴。
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公开(公告)号：CN108281504B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810014353.5
申请日：2018-01-08
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/18 , G01N21/3586
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOI（Silicon On Insulator）基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching‑RIE）硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104289382B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410327632.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用旋吸法在微通道板侧壁沉积薄膜的方法及其专用装置，本发明通过在对微通道板进行旋转滴涂溶胶的同时，在微通道板的一侧进行真空抽吸，实现所需沉积薄膜材料的溶胶液体在微通道内的定向均匀流动，然后对粘附在微通道侧壁上的溶胶进行高温处理，从而实现薄膜在微通道板侧壁上的沉积。单层沉积的薄膜厚度，取决于滴涂时旋转速度、溶胶浓度和微通道板两侧的压强差。为达到一定厚度的薄膜沉积，可对此过程方法多次循环使用，即多层溶胶凝胶法，直至实现预定厚度。本发明的有益效果是：使所需沉积薄膜材料的溶胶液体均匀旋涂在微通道板表面，并在狭小尺寸的微通道内实现定向流动，进而实现其薄膜在微通道板侧壁上的沉积。
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公开(公告)号：CN103543183B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310485008.7
申请日：2013-10-16
Applicant: 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了基于微通道板三维结构的高灵敏度气体传感器及其制作方法，由检测模块和加热模块两部分组成；检测模块和加热模块之间通过导电浆料粘合；检测模块和加热模块分别设置有两个引线引出电极，分别为检测电极和加热电极，所述的检测模块和加热模块封装于封装管壳内，所述的封装管壳上共有至少四个电极；所述的检测模块，其结构自上而下依次为上电极、微通道板和下电极；所述的加热模块，其结构自下而上依次为隔热绝缘衬底材料、加热电阻线圈和绝缘薄膜。其有益效果是：提高气敏材料薄膜的有效比表面积，从而提升了气体传感器的灵敏度；微通道板的多孔道结构有利于被检测气体的顺利通过，可提高器件的测试灵敏度和反应速度。
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公开(公告)号：CN105016293A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510232926.8
申请日：2015-05-08
Applicant: 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制作球面硅微通道板的装置及其制备方法，包括切割成圆形的硅微通道板，所述的硅微通道板置于一模具台中，所述的模具台由中心设有与硅微通道板大小匹配的台阶孔，硅微通道板置于台阶孔中；模具台上设置有重压片，所述重压片完全覆盖台阶孔；模具台置于一石英架上；将石英架、模具台、重压片和硅微通道板置于氧化炉管中。本发明具有以下有益效果：1.本发明是通过模具对热氧化时的氧气进行引导形成梯度。并且模具还会对球面微通道表面起到一定的约束作用，以助于达到确定的曲率半径。2.使用模具台控制氧化梯度，使得氧化层厚度也形成梯度，引起梯度应力，释放该应力即形成球面的硅微通道板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102874744B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110196442.4
申请日：2011-07-14
Applicant: 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。本发明利用光电化学使硅微通道与硅衬底的剥离，避免了物理抛光对硅微通道的损坏以及化学腐蚀对硅表面带来的损坏，可以制备出300μm以内的任意深度的p型宏孔硅（或称微通道）。
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公开(公告)号：CN103572271A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310485699.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C20/00
Abstract: 本发明公开了一种利用压差在微通道板侧壁沉积薄膜的装置和使用方法。它包括正压腔和负压腔，所述的正压腔和负压腔之间为连通通道，正压腔和负压腔上分别设有进气口和出气口；连通通道的中间位置设置有固定微通道板的卡托；所述的正压腔和负压腔内注有溶胶液体。本发明利用微通道板两侧的压强差，实现所需沉积薄膜材料的溶胶液体在微通道内的流动，然后对粘附在微通道侧壁上的溶胶进行高温处理，从而实现薄膜在微通道板侧壁上的沉积。单层沉积的薄膜厚度，取决于溶胶浓度和微通道板两侧的压强差。本发明解决了使所需沉积薄膜材料的溶胶液体在狭小尺寸的微通道内实现定向流动的难题，进而实现了其薄膜材料在微通道板侧壁上的沉积。
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公开(公告)号：CN102874744A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110196442.4
申请日：2011-07-14
Applicant: 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。本发明利用光电化学使硅微通道与硅衬底的剥离，避免了物理抛光对硅微通道的损坏以及化学腐蚀对硅表面带来的损坏，可以制备出300um以内的任意深度的p型宏孔硅（或称微通道）。
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公开(公告)号：CN101654810B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910195932.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在硅片上制备抗反射层的方法，该方法包括制备绒面及电化学刻蚀两步骤，其绒面制备已在该领域广泛应用；电化学刻蚀是将具有绒面结构的硅片装入电化学刻蚀反应装置中，使硅片一面接触饱和食盐水，另一面接触刻蚀液，饱和食盐水接电极正极，刻蚀液接电极负极，反应装置由控制系统(Labview)控制，在控制系统中设定电化学刻蚀参数，开启控制系统，进行电化学刻蚀，在硅片上制得抗反射层。本发明制得的硅片用在太阳能电池中，一方面能降低光的反射，有利于光的吸收，另一方面，由于光电化学刻蚀工艺上的简单性及可重复性，且光电化学刻蚀的工艺成本低，对太阳能电池产业的发展具有极大的促进作用。
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公开(公告)号：CN100404408C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510110416.X
申请日：2005-11-16
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法，属于微机电系统领域。采用阳极氧化法制作多孔硅，然后在多孔硅上淀积一层过渡层氮化硅薄膜，制作成非制冷红外探测器隔热衬底，尔后的器件制作就在这一层氮化硅薄膜上进行。由于在多孔硅与红外材料之间插入了一种中间过渡层，改善了由于多孔硅造成的表面不平，将可以大幅度提高红外材料的晶体质量，从而提高器件的性能。
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