一种室温高灵敏太赫兹直接检测系统

    公开(公告)号:CN108254071A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810015136.8

    申请日:2018-01-08

    IPC分类号: G01J1/42

    摘要: 本发明公开了一种室温高灵敏太赫兹直接检测系统,该系统包括:太赫兹源、一组抛物面反射镜、控制信号线、太赫兹聚焦透镜、硅基太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器,在室温条件下,用直接检测的方法,对硅基太赫兹探测器进行了太赫兹信号检测。对340 GHz的接收信号,检测器的偏置电流4mA,系统的电压响应率优于1000 V/W,斩波频率为1 kHz时,系统的噪声电压为6nV/Hz1/2,系统的等效噪声功率(NEP)优于6×10‑12 W/Hz1/2。对650 GHz的接收信号,检测器的偏置电流4mA,系统的电压响应率优于200 V/W,斩波频率为1 kHz时,系统的噪声电压为6nV/Hz1/2,系统的NEP约优于3×10‑11 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点,在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。

    一种纳米氧化锗的制备方法

    公开(公告)号:CN111661872A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN202010546092.9

    申请日:2020-06-16

    IPC分类号: C01G17/02 B82Y40/00 C08G63/86

    摘要: 本发明公开了一种纳米氧化锗的制备方法,该方法以锗酸根离子水溶液为前驱液,通过硫酸溶液调节前驱液pH值,再利用油包水的反向胶束来限制氧化锗颗粒的生长空间,从而对氧化锗颗粒的粒径和形貌进行调控。该制备方法所使用的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵即CTAB,油相为正丁醇。本发明制备纳米氧化锗的制备工艺简单,成本较低,制备得到的纳米氧化锗粒径小,比表面积大,具有良好的分散性、稳定性,在催化合成高品质聚酯方面具有广阔的应用前景。

    一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109883544A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910099635.4

    申请日:2019-01-31

    IPC分类号: G01J1/42

    摘要: 本发明公开了一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法,其检测器以硅基SOS基片作为衬底,所述衬底上反应离子刻蚀(RIE)的硅探测微桥,所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温,具有高灵敏度,快响应时间,制备简单,同主流硅工艺兼容便于做成大规模阵列芯片的特点,使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。

    一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108281504B

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201810014353.5

    申请日:2018-01-08

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法,其检测器以硅基SOI(Silicon On Insulator)基片作为衬底,所述衬底上反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching‑RIE)硅探测微桥,所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温,具有高灵敏度,快响应时间,制备简单,便于做成大规模阵列芯片的特点,使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。

    一种PEEK塑料管内镀银层的空芯波导制备方法

    公开(公告)号:CN114059052A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111468301.3

    申请日:2021-12-03

    摘要: 本发明公开了一种PEEK塑料管内镀银层的空芯波导制备方法,其特点是采用等离子体处理的PEEK塑料管为结构管,制备用于不同频率范围的内镀银层的空芯波导,具体制备包括:结构管采用等离子体预处理,然后通过化学液相层积法制备PEEK管内镀银的空芯太赫兹波导,在PEEK/Ag镀层空芯波导的基础上,通过碘化反应,制得Ag/AgI空芯红外波导。本发明与现有技术相比具有成本低、工艺简单、弯曲性能优良、耐温性及耐腐蚀性好等优点,有效解决了塑料与金属层之间结合性能较差的问题,增强了波导的耐弯折性能及使用寿命,有广阔的应用前景。

    一种室温高灵敏SOS衬底器件太赫兹直接检测系统

    公开(公告)号:CN109855741A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910100943.4

    申请日:2019-01-31

    IPC分类号: G01J5/10

    摘要: 本发明公开了一种室温高灵敏SOS衬底器件太赫兹直接检测系统,该系统包括:太赫兹源、一组(2个)抛物面反射镜、TTL控制信号线、硅基SOS衬底太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器。在室温条件下,用直接检测的方法,对硅基SOS衬底太赫兹检测器进行了太赫兹信号检测。对310 GHz的接收信号,偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为3375V/W,斩波频率为1 kHz以上时,系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2,测量系统的NEP约为1.8×10-12 W/Hz1/2。对648 GHz的接收信号,偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为1175 V/W,斩波频率为1 kHz以上时,系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2测量系统的NEP约为5.2×10-12 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点,在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。

    一种纳米氧化锗的制备方法

    公开(公告)号:CN111661872B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202010546092.9

    申请日:2020-06-16

    IPC分类号: C01G17/02 B82Y40/00 C08G63/86

    摘要: 本发明公开了一种纳米氧化锗的制备方法,该方法以锗酸根离子水溶液为前驱液,通过硫酸溶液调节前驱液pH值,再利用油包水的反向胶束来限制氧化锗颗粒的生长空间,从而对氧化锗颗粒的粒径和形貌进行调控。该制备方法所使用的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵即CTAB,油相为正丁醇。本发明制备纳米氧化锗的制备工艺简单,成本较低,制备得到的纳米氧化锗粒径小,比表面积大,具有良好的分散性、稳定性,在催化合成高品质聚酯方面具有广阔的应用前景。