公开(公告)号：CN102874744B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110196442.4

申请日：2011-07-14

Applicant: 华东师范大学 ,  上海欧普泰科技创业有限公司

Inventor： 王连卫 ,  彭波波 ,  王斐 ,  赖佳 ,  顾林玲 ,  王振

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。本发明利用光电化学使硅微通道与硅衬底的剥离，避免了物理抛光对硅微通道的损坏以及化学腐蚀对硅表面带来的损坏，可以制备出300μm以内的任意深度的p型宏孔硅（或称微通道）。

公开(公告)号：CN102874744A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110196442.4

申请日：2011-07-14

Applicant: 华东师范大学 ,  上海欧普泰科技创业有限公司

Inventor： 王连卫 ,  彭波波 ,  王斐 ,  赖佳 ,  顾林玲 ,  王振

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。本发明利用光电化学使硅微通道与硅衬底的剥离，避免了物理抛光对硅微通道的损坏以及化学腐蚀对硅表面带来的损坏，可以制备出300um以内的任意深度的p型宏孔硅（或称微通道）。