公开(公告)号：CN117995328A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410235589.7

申请日：2024-03-01

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陈少强 ,  张佳宁 ,  杨盼盼 ,  王锐 ,  胡小波 ,  翁国恩 ,  王小华

IPC: G16C60/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  G06F30/20 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种后异质结结构GaAs基多结电池的性能优化方法，包括采用数值模拟后异质结结构的方法，将获取的器件特性用于分析各参数对后异质结结构多结电池的影响，并对其进行优化，其特点是采用QTX.MESH和QTY.MESH语句对多结电池的隧道结区域设置特殊网格，使用非局部带对带隧道模型，以及包含隧道结区域非局部耦合的BBT.NLDERIVS模型进行物理参数模型的声明，通过电流匹配研究与隧道结研究对含后异质结结构子结的GaAs基多结电池进行优化，具体包括：网格初始化、材料和掺杂的设置、获取器件特性和性能优化等步骤。本发明与现有技术相比具有分析各种参数对后异质结结构GaAs基多结电池的影响，并对其进行优化，为探索高性能的后异质结结构GaAs基太阳电池提供模型基础及理论预测，在太阳能电池生产中具有指导性的意义和作用，以及良好的运用前景和商业价值。

公开(公告)号：CN117747665A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311704103.1

申请日：2023-12-12

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 孙亚宾 ,  张佳宁 ,  石艳玲 ,  刘赟 ,  李小进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括被栅极四面包裹的三层纳米片沟道，设于纳米片沟道两端具有双重掺杂的源端和漏端，设于纳米片沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、四面包裹沟道的栅极氧化物，四面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是器件的源端和漏端均具备双掺杂，两端同一侧为同种掺杂半导体，沟道为本征硅或轻掺杂的硅，形成n‑i‑n与p‑i‑p结构。本发明与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管（SBRFET）相比，源端不受费米能级钉扎影响，容易获得电流对称性；源漏双掺杂可在器件导通的情况下提供大量电子或空穴，驱动电流提高的同时泄漏电流变化不大，故有更大的电流开关比，逻辑响应更快。

公开(公告)号：CN117993210A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410235267.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陈少强 ,  张佳宁 ,  杨盼盼 ,  王锐 ,  胡小波 ,  翁国恩 ,  王小华

IPC: G06F30/20 ,  G16C60/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0735 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种后异质结结构GaAs基单结电池的性能优化方法，其特点是采用数值模拟后异质结结构的方法，利用物理模型在数值模拟软件中设置材料参数和描述界面特性，对GaAs基单结电池进行表征，将获取的器件特性用于分析各参数对器件的影响，并对其进行优化，具体包括：网格初始化、材料和掺杂的设置、获取器件特性和性能优化等步骤。本发明与现有技术相比具有分析各种参数对后异质结结构GaAs基单结电池的影响，并对其进行结构优化，为探索高性能的后异质结结构GaAs基太阳电池提供模型基础及理论预测，在太阳能电池生产中具有指导性的意义和作用，以及良好的运用前景和商业价值。