一种Fe3O4纳米微球及其制备方法

    公开(公告)号:CN102502879A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110340517.1

    申请日:2011-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种Fe3O4纳米微球的制备方法,以FeCl2和FeCl3为原料,加入NaOH调节pH,加热反应制备Fe3O4,并采用阳离子表面活性剂聚乙烯亚胺对Fe3O4进行表面改性,得到本发明的Fe3O4纳米微球。本发明制备方法具有合成工艺和生产设备简单,成本低,制备快速且安全,易于实现工业化生产。本发明所制备的Fe3O4纳米微球磁学性能优异,分散性好。

    用电沉积制备铂纳米多孔电极的方法

    公开(公告)号:CN101303325A

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200810039486.4

    申请日:2008-06-25

    Abstract: 一种用电沉积制备铂纳米多孔电极的方法,属材料制备和电化学检测的技术领域。用电沉积方法在工作电极的衬底上沉积一层铂合金,然后用电化学刻蚀方法去合金化,形成铂纳米多孔电极。本发明的优点:能获得高质量的铂纳米多孔电极,其表面积比平面电极提高500倍以上,催化效果好,能完全满足无酶测定葡萄糖的需要;制备电极的操作步骤简单,所用试剂数量少,成本低,易于实施;操作在常温下进行,没有高温危险;安全、环保。

    承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法

    公开(公告)号:CN1164768C

    公开(公告)日:2004-09-01

    申请号:CN02145348.9

    申请日:2002-11-22

    Abstract: 一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法,属基因(DNA)芯片制备技术领域,制备步骤包括:多孔硅衬底的原料;形成区域阻挡层;阳极氧化形成多孔硅;继续阳极氧化;清洗干燥制得成品,用该法制备的多孔硅衬底有分子探针的固定效率高和承载cDNA芯片微阵列的阵列密度高的优点,特别适于用来制备承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底。

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