激光表征系统和过程
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103339808B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201180066671.2

    申请日:2011-12-01

    Abstract: 一种用于自动表征从半导体晶片分离的半导体条上的多个外腔半导体激光器芯片的系统和过程。该系统包括:衍射光栅,被安装在旋转台上,用于使衍射光栅转动通过衍射角范围;操纵镜,被安装在旋转台上并被定向成垂直于衍射光栅的表面;激光分析仪;以及激光器条定位台。该定位台被自动移动以使平台上的激光器条中的每个激光器芯片与衍射光栅对准(一次一个芯片),使得从激光器条中的激光器芯片发出的激光束的部分被光栅的一阶衍射反射回同一激光器芯片以锁定激射波长,并且激光束被操纵镜反射的余下部分被激光分析仪接收并表征。对于每个激光器芯片,旋转台被自动转动以使衍射光栅相对于激光器芯片所发出的激光束转动通过衍射角范围,并且激光分析仪自动地表征每个衍射角下的激光器光学性质(诸如光谱、功率或空间模式)。

    具有阶跃阱活性区域的量子级联激光器设计

    公开(公告)号:CN104247177A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201280067209.9

    申请日:2012-11-28

    CPC classification number: H01S5/3402 B82Y20/00 H01S5/3403 H01S5/3407

    Abstract: 包括了一种量子级联激光器结构的实施例。一些实施例包括多个量子阱和多个势垒,至少其中一部分定义了活性区域。在一些实施例中,当电子从该活性区域内的高激光能态跃迁到该活性区域内的低激光能态时,该活性区域内发射出光子。此外,多个量子阱中的最后一个量子阱能定义该活性区域,其中该最后一个量子阱在该活性区域中一邻近量子阱下方延伸。类似地,该最后一个量子阱可包括比该活性区域内的该邻近量子阱的厚度较小的厚度。

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