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公开(公告)号：CN104242052B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410188569.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventor： 张瑞英
IPC: H01S5/10
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/01708 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/3013 , H01S5/34306 , H01S5/4068
Abstract: 本发明提供一种环形腔器件，包括无源环形波导以及与所述无源环形波导平面耦合的输入输出波导，还包括与所述无源环形波导和/或输入输出波导垂直耦合的有源波导结构，所述有源波导结构对无源环形波导提供损耗补偿。本发明还提供一种环形腔器件的制作方法。本发明可通过垂直耦合或者混合耦合（先垂直耦合然后平面耦合）使环形腔器件获得部分增益，从而补偿该环形腔器件内的损耗，提高其品质因子。
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公开(公告)号：CN1279667C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN01813668.0
申请日：2001-05-16
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1675808A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819720.0
申请日：2003-06-30
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
Inventor： A·A·贝法 , 小A·T·谢里默尔 , C·B·史塔加尔斯库
IPC: H01S3/083
CPC classification number: H01S5/1071 , H01S5/0265 , H01S5/062 , H01S5/065 , H01S5/1039 , H01S5/40 , H01S5/50
Abstract: 一种能发射所选波长光的集成型半导体激光装置，包括多个串联或半联耦接－公共输出端的不同腔长的环形激光器，可产生波长对应于所选环形激光器的输出束。
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公开(公告)号：CN1675807A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819193.8
申请日：2003-08-08
Applicant: 布里斯托尔大学
Inventor： 余思远
CPC classification number: H01S5/10 , G02B6/12004 , H01S3/0635 , H01S3/06791 , H01S3/08036 , H01S3/083 , H01S5/026 , H01S5/0656 , H01S5/1032 , H01S5/1071
Abstract: 包含环形激光谐振腔(102)、光学增益元件(104)、双向输出耦合器(106)以及频率选择装置(114)的可调谐激光器(100)。频率选择装置通常由一光栅构成，光栅的反射频率由折射率决定。在光栅的反射频率与环形激光谐振腔的谐振频率吻合时可得到单模激光运行。光栅的折射率由可变注入电流改变。这样，激光输出频率可以在谐振腔的不同谐振频率的间快速调谐。
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公开(公告)号：CN1204661C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN00106846.6
申请日：2000-04-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 沼居贵阳
CPC classification number: H01S5/10 , G01C19/721 , H01L33/005 , H01S5/042 , H01S5/105 , H01S5/1071 , H01S5/2275
Abstract: 制造半导体器件的方法，包括以下步骤，在衬底上制备具有至少一个半导体层的部件，在该半导体层上形成电极层，在该电极层上形成刻蚀掩模，通过刻蚀该电极层和半导体层形成台面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1472851A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03137305.4
申请日：2003-06-10
Applicant: 安捷伦科技有限公司
IPC: H01S3/08
CPC classification number: H01S5/141 , H01S5/0617 , H01S5/1071
Abstract: 本发明公开了一种具有衍射光学元件的波长可调激光谐振器，包括：第一和第二谐振器端反射器，所述第一和第二谐振器端反射器确定了具有一定长度的光路的谐振器；设置在所述谐振器内的增益介质，用于产生和/或放大射束，并把它发射到所述第一和第二谐振器端反射器；衍射光学元件设置在所述光路内，适于滤波所述射束的波长，并被设计成用来把包括所述被滤波波长的所述射束的一部分向所述增益介质聚焦，其中，所述第一或所述第二谐振器端反射器中的至少一个可相对于谐振器内的其他光学元件移动，以增加或减少所述光路的所述长度，并且，所述衍射光学元件可相对于谐振器内其他光学元件移动，使所述被滤波的波长适应所述光路的所述长度的增加或减少。
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公开(公告)号：CN1444787A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813668.0
申请日：2001-05-16
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN104662750B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380011255.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/32 , B82Y20/00 , G01N21/59 , H01S5/1071 , H01S5/3402 , H01S5/42
Abstract: 披露了布置在同心圆内的多表面发射中IR多波长分布反馈量子级联环形激光器。激光器利用量子级联芯设计以在中红外区内产生光增益，并可同时或顺序地产生若干波长。也披露了制造和使用这些设备的方法。
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公开(公告)号：CN103891067B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201180074425.1
申请日：2011-11-01
Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业
Inventor： 梁迪
CPC classification number: H01S3/136 , H01S3/10 , H01S5/021 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/0427 , H01S5/06203 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/0624 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/222 , H01S5/2222 , H01S2301/176
Abstract: 一种激光系统可包括响应于第一电刺激将电载流子传输至有源区的电极。该激光系统还可包括响应于第二电刺激将电载流子传输至该有源区的另一电极。这些电载流子可以在该有源区中结合，来发射用于生成光信号的光子。该系统可进一步包括又一电极，该又一电极响应于电刺激而影响设备层中电载流子的浓度，以改变与第一波导区、第二波导区以及该设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容。该第三电刺激可以被调制为基于该内电容区的电容改变对该光信号进行调制。
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公开(公告)号：CN105849606A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070563.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/126 , G02B6/134 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/068 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/142
Abstract: 本发明提供一种光学波导元件和一种用于制造光学波导元件的方法，这使得在降低制造所述光学波导元件的成本时可靠地消除影响主信号光的杂散光成为可能。所述光学波导元件的特征在于具有硅层和位于所述硅层上方和下方的二氧化硅层。这个光学波导元件的特征还在于，硅层包含脊形波导和位于距所述脊形波导至少规定距离处的杂质注入区域。
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