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公开(公告)号：CN102035135B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN101803133B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880106365.5
申请日：2008-09-11
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/028 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/4025
摘要： 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。
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公开(公告)号：CN102035135A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN1875528B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480031810.8
申请日：2004-08-31
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/06256 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34313
摘要： 一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaInAs/InP激光谐振腔，具有多个法布里-佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
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公开(公告)号：CN101578744A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200680027273.9
申请日：2006-06-20
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。
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公开(公告)号：CN100524980C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480007097.3
申请日：2004-03-18
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法尔 , 小A·T·施雷默尔 , C·B·斯塔盖瑞斯库
CPC分类号： H01S5/0287 , G02B6/12004 , H01S5/005 , H01S5/0085 , H01S5/0656 , H01S5/06817 , H01S5/0687 , H01S5/1021 , H01S5/1071 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/14
摘要： 通过在激光腔中形成一个或多个蚀刻间隙(78、80)增强激光器的单向性。这些间隙可以设置于激光器的任何分段中，诸如环形激光器的任何支架，或者V形激光器(60)的一个支架(62)中。与激光器耦合的光子器件远端处的布儒斯特角小面降低了进入激光腔的背反射。分布布拉格反射器在激光器的输出处用于增强激光器的边模抑制率。
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公开(公告)号：CN100440647C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03819720.0
申请日：2003-06-30
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法 , 小A·T·谢里默尔 , C·B·史塔加尔斯库
IPC分类号： H01S3/083
摘要： 一种能发射所选波长光的集成型半导体激光装置，包括多个串联或半联耦接-公共输出端的不同腔长的环形激光器，可产生波长对应于所选环形激光器的输出束。
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公开(公告)号：CN101160699A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012475.6
申请日：2006-02-17
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝希尔
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/323 , G02F1/17 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2214
摘要： 半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件，包括在有源区小面附近的区域，以保护裸露或未经保护的半导体区，由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。
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公开(公告)号：CN1910735A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002711.1
申请日：2005-01-19
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 集成于单个芯片(20)的相应外延层上的激光器(22)和检测器(24)与片载和/或外部光学器件(62)协作以将所述激光器发出的第一波长的光耦合到单个外部器件，诸如光纤(60)，并同时将从所述外部器件接收的不同波长的光耦合到检测器以提供双向光子操作。多个激光器和检测器可集成于该芯片上以提供多个双向通道。
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公开(公告)号：CN1795591A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480007097.3
申请日：2004-03-18
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法尔 , 小A·T·施雷默尔 , C·B·斯塔盖瑞斯库
CPC分类号： H01S5/0287 , G02B6/12004 , H01S5/005 , H01S5/0085 , H01S5/0656 , H01S5/06817 , H01S5/0687 , H01S5/1021 , H01S5/1071 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/14
摘要： 通过在激光腔中形成一个或多个蚀刻间隙(78、80)增强激光器的单向性。这些间隙可以设置于激光器的任何分段中，诸如环形激光器的任何支架，或者V形激光器(60)的一个支架(62)中。与激光器耦合的光子器件远端处的布儒斯特角小面降低了进入激光腔的背反射。分布布拉格反射器在激光器的输出处用于增强激光器的边模抑制率。
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