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公开(公告)号：CN101803133B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880106365.5
申请日：2008-09-11
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/028 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/4025
Abstract: 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。
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公开(公告)号：CN105514800A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610091174.2
申请日：2011-10-25
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34313
Abstract: 紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102282489A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004849.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: G02B6/10
CPC classification number: H01S5/18 , G02B6/4214 , H01S5/02284 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0654 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 一种表面反射光子器件包括：衬底；以及该衬底上的波导结构。该波导结构包括沿着其纵轴的有源区，且该有源区用于生成光。波导结构还具有在其中形成的沟槽，沟槽相对于有源区处于横向上并界定在有源区的一末端处形成倾斜端面的第一壁，第一壁具有相对于波导结构的纵轴处于不平行角度的法线。该沟槽还界定与第一壁相对而放置的第二壁。
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公开(公告)号：CN103222137A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180047881.7
申请日：2011-10-25
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34313
Abstract: 通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
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公开(公告)号：CN103222137B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180047881.7
申请日：2011-10-25
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34313
Abstract: 通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
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公开(公告)号：CN102282489B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080004849.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: G02B6/10
CPC classification number: H01S5/18 , G02B6/4214 , H01S5/02284 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0654 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 一种表面反射光子器件包括：衬底；以及该衬底上的波导结构。该波导结构包括沿着其纵轴的有源区，且该有源区用于生成光。波导结构还具有在其中形成的沟槽，沟槽相对于有源区处于横向上并界定在有源区的一末端处形成倾斜端面的第一壁，第一壁具有相对于波导结构的纵轴处于不平行角度的法线。该沟槽还界定与第一壁相对而放置的第二壁。
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公开(公告)号：CN101803133A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106365.5
申请日：2008-09-11
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/028 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/4025
Abstract: 半导体芯片具有至少两个DFB刻蚀端面激光腔，其中一组端面具有AR涂层，第二组刻蚀端面具有HR涂层，从而相对于光栅具有不同的相对位置。这可在每一个刻蚀端面和光栅之间产生相位差，光栅改变两个激光腔的工作特性，使得至少一个激光器提供可接受的性能。因此，两腔设置极大地提高了芯片制造的成品率。
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