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1.

发明公开
使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器有权转让

公开(公告)号：CN101578744A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200680027273.9

申请日：2006-06-20

申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司

发明人： A·A·贝法 , A·T·舒瑞莫 , C·B·斯塔加瑞舒 , 万纳特亚

IPC分类号： H01S5/02 , C30B25/04 , H01L21/00 , H01L33/00

CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333

摘要： 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。

2.

发明公开
使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器无效转让复审申请

公开(公告)号：CN102510004A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110321815.6

申请日：2006-06-20

申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司

发明人： A·A·贝法 , A·T·舒瑞莫 , C·B·斯塔加瑞舒 , 万纳特亚

IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/028

CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333

摘要： 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器。一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。

3.

发明授权
使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器有权转让

公开(公告)号：CN101578744B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680027273.9

申请日：2006-06-20

申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司

发明人： A·A·贝法 , A·T·舒瑞莫 , C·B·斯塔加瑞舒 , 万纳特亚

IPC分类号： H01S5/02 , C30B25/04 , H01L21/00 , H01L33/00

CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333

摘要： 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。