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公开(公告)号：CN101553962B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680039345.1
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN101553962A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680039345.1
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN102013631B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010537742.X
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN102013631A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010537742.X
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN102035135B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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公开(公告)号：CN102035135A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010537705.9
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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