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公开(公告)号：CN104917483A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410275588.1
申请日：2014-06-19
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 铃木良和
CPC classification number: H01L28/20 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H03H9/02566
Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。
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公开(公告)号：CN109478509B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201880002785.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻液是用于氮化硅的蚀刻的蚀刻液，其包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数的酸、硅酸化合物和水。磷酸的质量M1与酸的质量M2之比M1/M2在0.82以上且725以下的范围内。
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公开(公告)号：CN110904503B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910202118.5
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。
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公开(公告)号：CN110857913A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910193622.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/3577
Abstract: 本发明提供能够测定溶液中的微量硅浓度的测定器、蚀刻系统、硅浓度测定方法及硅浓度测定程序。根据实施方式，提供一种测定器，其包含输入输出部、存储器和处理器。输入输出部被输入测定值信息，所述测定值信息表示测定对象液的磷酸、第2酸和水的浓度，所述测定对象液包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数pK的第2酸和水。存储器保持变动值信息，所述变动值信息包含在基准液中按照成为基准硅浓度的方式添加硅时的磷酸、第2酸和水的浓度变化与基准硅浓度的关系，所述基准液含有磷酸、第2酸和水。处理器基于输入至输入输出部的测定值信息和从存储器读出的变动值信息，得到相当于测定值信息的测定对象液的硅浓度。
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公开(公告)号：CN109478509A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201880002785.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻液是用于氮化硅的蚀刻的蚀刻液，其包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数的酸、硅酸化合物和水。磷酸的质量M1与酸的质量M2之比M1/M2在0.82以上且725以下的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
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公开(公告)号：CN118380364A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410041304.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及接合装置以及接合方法，能够提高被接合部件彼此的密接性。实施方式的接合装置具有工作台以及具有按压部的压头。在工作台上载放第1被接合部件。压头的按压部为，在使第2被接合部件的平面相对于第1被接合部件的与相对于工作台接触的接触面相反侧的平面接触、并将第2被接合部件载放于第1被接合部件的规定部位的状态下，将第2被接合部件朝向第1被接合部件加压。此时，压头的按压部形成为，使与第2被接合部件接触的接触区域从第2被接合部件的形心或者其附近呈环状扩展。
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公开(公告)号：CN110857913B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910193622.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/3577
Abstract: 本发明提供能够测定溶液中的微量硅浓度的测定器、蚀刻系统、硅浓度测定方法及硅浓度测定程序。根据实施方式，提供一种测定器，其包含输入输出部、存储器和处理器。输入输出部被输入测定值信息，所述测定值信息表示测定对象液的磷酸、第2酸和水的浓度，所述测定对象液包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数pK的第2酸和水。存储器保持变动值信息，所述变动值信息包含在基准液中按照成为基准硅浓度的方式添加硅时的磷酸、第2酸和水的浓度变化与基准硅浓度的关系，所述基准液含有磷酸、第2酸和水。处理器基于输入至输入输出部的测定值信息和从存储器读出的变动值信息，得到相当于测定值信息的测定对象液的硅浓度。
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公开(公告)号：CN118380363A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410040788.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及接合装置以及接合方法，能够提高被接合部件彼此的密接性。实施方式的被接合部件彼此的接合装置具有载放第1被接合部件的工作台、压头以及可动部。压头在使第2被接合部件的平面相对于第1被接合部件的与相对于上述工作台接触的接触面相反侧的平面接触的状态下，将上述第2被接合部件的与上述平面相反侧的面朝向上述第1被接合部件的上述平面按压。可动部设置在压头的周围，在第2被接合部件的相反侧的面上，规定出从面向压头的前端的位置朝向第2被接合部件的边缘部的加压空气的流路。
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公开(公告)号：CN111142340A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911051149.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/683
Abstract: 本发明的实施方式涉及剥离液、剥离方法及电子部件的制造方法。本发明提供能够容易地将支撑板从包含基板、支撑板和粘接剂的层叠体剥离的剥离液、以及使用了该剥离液的剥离方法及电子部件的制造方法。根据实施方式，提供一种剥离液。剥离液是用于将支撑板从层叠体剥离的剥离液。剥离液包含第1溶剂和第2溶剂。第2溶剂的极性高于第1溶剂的极性。层叠体包含基板、支撑板和粘接剂。粘接剂位于基板及支撑板之间。粘接剂包含具有互不相同的第1官能团及第2官能团的化合物。
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