公开(公告)号：CN118676204A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310739863.X

申请日：2023-06-21

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 安武拓哉 ,  齐藤泰伸 ,  可知刚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/40

摘要： 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。

公开(公告)号：CN110911490A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910171830.3

申请日：2019-03-07

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 齐藤泰伸

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20

摘要： 实施方式提供一种抑制了开关时的电流振动和电子的捕获所带来的导通电阻的增加的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大；设于第二氮化物半导体层上的源极电极；设于第二氮化物半导体层上的漏极电极；设于源极电极与漏极电极之间的栅极电极；以及在漏极电极与栅极电极之间的第二氮化物半导体层上与漏极电极分离地设置的p型的第三氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN103325828B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

摘要： 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN103367356B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210315883.6

申请日：2012-08-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  斋藤涉

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。

公开(公告)号：CN102694019B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN103000682B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN104425570A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410051942.2

申请日：2014-02-14

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  齐藤泰伸 ,  津田邦男

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。

公开(公告)号：CN103681858A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310376099.0

申请日：2013-08-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  吉冈启 ,  斋藤涉 ,  仲敏行

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/743 ,  H01L23/3178 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/13099

摘要： 实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。

公开(公告)号：CN102237402A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110109142.8

申请日：2011-03-18

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

摘要： 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。