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公开(公告)号：CN116779667A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210811216.0
申请日：2022-07-11
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/778
摘要： 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。
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公开(公告)号：CN115084258A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110878873.2
申请日：2021-08-02
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40
摘要： 半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一电极及第二电极，设置于第二氮化物半导体层的上方；第一绝缘膜，设置于第二氮化物半导体层的上方的、第一电极与第二电极之间，与第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二氮化物半导体层的上方、第一绝缘膜的上方及第一绝缘膜与第二电极之间的第二氮化物半导体层的上方，并包含第二绝缘材料；第三电极，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二绝缘膜的上方；以及第四电极，具有第一电极部和第二电极部。
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公开(公告)号：CN102694011B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210080160.2
申请日：2012-03-23
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/43 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
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公开(公告)号：CN112532220B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010057939.7
申请日：2020-01-19
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H03K17/567 , H01L29/78
摘要： 实施方式提供具有简易构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；常开启晶体管，具有电连接于第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；第1元件，具有电连接于第1控制电极的第1端部和电连接于第1电极的第2端部，包含第1电容成分；以及第2元件，具有电连接于第1控制电极以及第1端部的第3端部和第4端部，包含第2电容成分，在将常关断晶体管的阈值电压设为Vth，将常关断晶体管的最大栅极额定电压设为Vg＿max，将第4端部的电压设为Vg＿on，将第1电容成分设为Ca、第2电容成分设为Cb时，Vth＜(Cb/(Ca+Cb))Vg＿on＜Vg＿max。
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公开(公告)号：CN112530923B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010074582.3
申请日：2020-01-22
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。
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公开(公告)号：CN117747639A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211664373.X
申请日：2022-12-23
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设置于半导体层上；第一电极膜，设置于第一绝缘膜上；第二电极膜，设置于第一电极膜上；以及第一场板电极，设置于第二电极膜上，第一场板电极的下端相比于第一电极膜的与第一绝缘膜接触的第一面而位于第二电极膜侧的第二面。
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公开(公告)号：CN115810624A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210076987.X
申请日：2022-01-24
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一端子；第二端子；第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容；以及电阻部，串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。
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公开(公告)号：CN114256344A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110022665.2
申请日：2021-01-08
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
摘要： 提供可靠性优异的半导体装置，从下到上具备：第一氮化物半导体层、带隙更大的第二氮化物半导体层、电连接于第一氮化物半导体层的第一电极，还具备：第一氮化物半导体层之上且与其电连接的第二电极；第一电极与第二电极间的栅极电极；栅极电极上且与其电连接的栅极场板电极；第一场板电极，位于第二氮化物半导体层上且栅极场板电极与第二电极间，与第一电极电连接；以及位于第一场板电极与栅极场板电极间且与第一电极电连接的第二场板电极。第二场板电极的底面与第一氮化物半导体层的距离，比栅极场板电极的最向第二电极侧突出的部分的底面与第一氮化物半导体层的距离短，比第一场板电极的第一电极侧的端面的底部与第一氮化物半导体层的距离短。
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公开(公告)号：CN114188411A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110023207.0
申请日：2021-01-08
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L27/085 , H01L23/528
摘要： 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN110911483A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811451853.1
申请日：2018-11-30
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423
摘要： 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层相比带隙更大的第2氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第1电极；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第2电极；位于第1电极与第2电极之间的栅极电极；与第1电极连接的第1场板电极；与第1电极电连接、且位于栅极电极与第2电极之间的第2场板电极；位于栅极电极上的第1导电层；和位于第1导电层上的第2导电层。栅极电极与第2场板电极之间的第1距离小于第1导电层与第2场板电极之间的第2距离，且小于等于第2导电层与第2场板电极之间的第3距离。
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