-
公开(公告)号：CN102694011A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080160.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/43 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
-
公开(公告)号：CN104061848A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310394835.5
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01B7/16
CPC classification number: G01L1/2293 , H01L24/05 , H01L27/0738 , H01L28/24 , H01L29/1608 , H01L29/7803 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。
-
公开(公告)号：CN100530955C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610065357.3
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
Abstract: 本发明涉及一种薄膜压电共振器以及滤波器。一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的平均距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的平均距离，并与所述第一距离不同。
-
公开(公告)号：CN101061634A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200680000322.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：具有腔的基底；在该腔的上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上的第二电极。该第二电极的外周部分覆盖在该腔上，且被锥角化，以具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定。
-
公开(公告)号：CN101026371A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710079154.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 一种薄膜压电共振器包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101022271A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005320.6
申请日：2007-02-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/131 , H03H9/13 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H2003/0428 , H03H2003/0471
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器，具有：支撑基板和设置在上述支撑基板上、一部分由上述支撑基板来支撑、另一部分与上述支撑基板相离的层叠体；其特征在于，上述层叠体具有：以铝为主要成分的第1电极，层叠在上述第1电极上、以氮化铝为主要成分的压电膜，层叠在上述压电膜上、以密度大于等于铝密度1.9倍的金属为主要成分的第2电极。
-
公开(公告)号：CN1652458A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
-
公开(公告)号：CN102694011B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210080160.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/43 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
-
公开(公告)号：CN100490318C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
-
公开(公告)号：CN1691498A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.025 seconds)
