公开(公告)号：CN104064585A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310325316.3

申请日：2013-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  高桥宣博 ,  柴田浩延

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 实施方式提供一种实现了高耐压和低损失性这两者的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构；电极，设置于所述第2半导体层之上；以及反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间。所述第2半导体层具有相对于（100）晶面倾斜的上表面。所述反应部含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。

公开(公告)号：CN104425580A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410022672.2

申请日：2014-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  柴田浩延 ,  高桥宣博

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供同时实现芯片特性和组装性的功率用半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：半导体部分；表面侧金属层，设置在上述半导体部分的上表面上，包含第一金属，且至少一部分结晶化；以及背面侧金属层，设置在上述半导体部分的下表面上，包含上述第一金属，且至少一部分结晶化。

公开(公告)号：CN104934334A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410446951.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田浩延

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可实现电极与焊料的适当接合的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置包括含有第1金属元素的电极层。而且，所述装置包括金属层，所述金属层设于所述电极层上，且含有所述第1金属元素及与所述第1金属元素不同的第2金属元素。而且，所述装置包括焊料层，所述焊料层是在所述金属层上与所述电极层相隔而设，且含有所述第2金属元素。

公开(公告)号：CN100490318C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC: H03H9/15

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。

公开(公告)号：CN111063629A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910126608.1

申请日：2019-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 三田浩史 ,  胡恺 ,  柴田浩延 ,  藤林孝次 ,  竖山佳邦 ,  薮井秀人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的实施方式提供一种具有能稳定地保持被处理基板的静电吸盘的制程装置。实施方式的制程装置具有：静电吸盘，配置在基板保持部，且包含电介质及配置在所述电介质内部的电极；电路，电连接于所述静电吸盘的所述电极；及第1接地线，电连接于所述电路。所述第1接地线经由绝缘性包覆层而被金属屏蔽。

公开(公告)号：CN101026368A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710007036.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田浩延 ,  坂井雅规

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H01L41/00 ,  H01L41/047

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/02 ,  H03H2003/021

Abstract: 一种膜体声谐振器，包括：衬底；下电极；在下电极上设置的压电膜；与所述下电极相对并设置在压电膜上的上电极；以及多个凸起。所述衬底在其表面中具有腔。所述下电极从所述衬底的上表面在腔的上方延伸。所述凸起被设置在下电极下方的腔中。

公开(公告)号：CN103325705A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310070252.7

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下大辅 ,  柴田浩延 ,  江崎朗

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/30 ,  G01R1/0408 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2601 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14

Abstract: 实施方式涉及的半导体器件的检查方法具有：在形成有半导体器件并在表面贴合了支撑衬底的半导体衬底的背面贴合检查用夹具的工序，该检查用夹具具备比上述半导体衬底大且在中心部形成有比上述半导体衬底小的开口的片以及保持上述片的外周部的保持架；剥离贴合到上述半导体衬底的表面的支撑衬底的工序；以及检查上述半导体器件的电气特性的工序。

公开(公告)号：CN103325669A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310069803.8

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田浩延 ,  滨田悦男

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/266 ,  H01L21/326 ,  H01L23/544 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 基于本实施例的屏蔽板，在对形成了具有第1半导体元件及第2半导体元件的半导体装置的半导体基板注入带电粒子而形成寿命控制层时进行覆盖，具备：用于对上述半导体基板进行对位的对准标记；第1区域；厚度比上述第1区域薄的第2区域，上述第1区域覆盖上述第1半导体元件，上述第2区域覆盖上述第2半导体元件。

公开(公告)号：CN1929302A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610115959.5

申请日：2006-08-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 罇贵子 ,  柴田浩延

IPC: H03H9/15 ,  H03H3/02 ,  H01L41/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/105 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023

Abstract: 一种薄膜体声谐振器包括具有通孔的衬底，所述通孔通过在与所述衬底顶面相反的所述衬底底面上的开口被限定。所述开口的宽度大于在所述顶面处的宽度。底电极设置在所述通孔上方，并在所述顶面上方延伸。在所述底电极上设置压电膜。在所述压电膜上设置顶电极，以便面对所述底电极。从所述底面将密封板插入到所述通孔中，以便密封所述开口。

公开(公告)号：CN1652458A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC: H03H9/15

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。