公开(公告)号：CN104064585A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310325316.3

申请日：2013-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  高桥宣博 ,  柴田浩延

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 实施方式提供一种实现了高耐压和低损失性这两者的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构；电极，设置于所述第2半导体层之上；以及反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间。所述第2半导体层具有相对于（100）晶面倾斜的上表面。所述反应部含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。

公开(公告)号：CN104934394A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410305752.9

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸田基也 ,  西川幸江 ,  高桥宣博 ,  赤池康彦

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/485 ,  H01L24/05 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 实施方式提供一种能够抑制晶片以及芯片的翘曲从而提高制造合格率的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层的表面上；多个第二电极，设置在所述第一电极上，与所述半导体层的所述表面平行的截面形状为具有50微米以下的边的矩形；以及树脂层，设置在所述多个第二电极之间，延展性比所述第二电极高。

公开(公告)号：CN104425580A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410022672.2

申请日：2014-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  柴田浩延 ,  高桥宣博

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供同时实现芯片特性和组装性的功率用半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：半导体部分；表面侧金属层，设置在上述半导体部分的上表面上，包含第一金属，且至少一部分结晶化；以及背面侧金属层，设置在上述半导体部分的下表面上，包含上述第一金属，且至少一部分结晶化。