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    半导体装置及半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115841942A

    公开(公告)日：2023-03-24

    申请号：CN202210127975.5

    申请日：2022-02-11

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 井上绘美子 ,  西川幸江

    IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

    Abstract: 本发明实施方式提供提高了栅极焊盘的密合性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备硅基板、第1层、第2层、阻挡金属和栅极焊盘。上述第1层由上述硅基板上所具备的氧化膜形成。上述第2层是在上述第1层的上表面中至少选择性地具有凹凸部的层，上述凹凸部具有比在以平面状形成该层的情况下产生的凹凸深的凹凸。上述阻挡金属在上述第2层2的上表面按照上述凹凸部的形状而形成。上述栅极焊盘介由上述阻挡金属与上述硅基板密合。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114171471A

    公开(公告)日：2022-03-11

    申请号：CN202110093260.8

    申请日：2021-01-25

    Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

    Inventor： 足立绘美子 ,  西川幸江 ,  财满康太郎

    IPC: H01L23/34 ,  H01L29/739 ,  G01K7/01

    Abstract: 实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；设于所述半导体部的背面上的第一电极；设于所述半导体部的表面侧且相互分离的多个第二电极；设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间的控制电极；覆盖所述半导体部的所述表面侧并具有使所述多个第二电极露出的多个开口的树脂层；以及设于所述半导体部与所述树脂层之间并位于所述半导体部的所述表面的中央的传感器元件。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

    半导体发光元件
    3.
    发明公开
    半导体发光元件 有权

    公开(公告)号：CN102760815A

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：CN201110265519.9

    申请日：2011-09-08

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 西川幸江 ,  山崎宏德 ,  古木胜义 ,  片冈敬

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

    Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。

    半导体发光元件
    5.
    发明授权
    半导体发光元件 有权

    公开(公告)号：CN104934512B

    公开(公告)日：2017-11-21

    申请号：CN201510313500.5

    申请日：2011-09-08

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 西川幸江 ,  山崎宏德 ,  古木胜义 ,  片冈敬

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

    Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有细线部和焊盘部：上述细线部设置于上述第二接触层之上，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。

    发光元件
    6.
    发明授权
    发光元件 失效

    公开(公告)号：CN102468386B

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201110070619.6

    申请日：2011-03-17

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 片冈敬 ,  西川幸江 ,  山崎宏德

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22

    Abstract: 根据一个实施例，发光元件包括发光层、覆层、电流扩散层、第二层以及电极。发光层能够发射出发射光。电流扩散层包括表面处理层和第一层。表面处理层具有包括凸起部分和与凸起部分相邻布置的底部部分的表面。第一层被设置于表面处理层和覆层之间。第二层被设置于表面处理层和覆层之间，并且包括具有的杂质浓度高于电流扩散层的杂质浓度的区域。电极被设置于表面处理层的没有提供凸起部分和底部部分的表面区域上。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN104064585A

    公开(公告)日：2014-09-24

    申请号：CN201310325316.3

    申请日：2013-07-30

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 西川幸江 ,  高桥宣博 ,  柴田浩延

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/04

    CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

    Abstract: 实施方式提供一种实现了高耐压和低损失性这两者的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，具有设置于所述第1半导体层之上的立方晶体结构；电极，设置于所述第2半导体层之上；以及反应部，设置于所述第2半导体层与所述电极之间。所述第2半导体层具有相对于（100）晶面倾斜的上表面。所述反应部含有构成所述第2半导体层的至少1种元素和构成所述电极的至少1种元素，具有向所述第2半导体层侧延伸的突起。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN105977230A

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201510555734.0

    申请日：2015-09-02

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 西川幸江 ,  岸田基也

    IPC: H01L23/485

    CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397

    Abstract: 实施方式的半导体装置具备半导体层、设置在半导体层上的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜上的第1导电层、设置在半导体层上及第1导电层上的第2绝缘膜、设置在第2绝缘膜上的第2导电层、将半导体层与第2导电层连接的第1接点部、及将第1导电层与第2导电层连接的第2接点部，且半导体层与和第2接点部相邻的第2绝缘膜的上部的距离比半导体层与和第1接点部相邻的第2绝缘膜的上部的距离大，第2接点部的宽度比第1接点部的宽度宽。

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