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公开(公告)号：CN111063629A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910126608.1
申请日：2019-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的实施方式提供一种具有能稳定地保持被处理基板的静电吸盘的制程装置。实施方式的制程装置具有：静电吸盘，配置在基板保持部，且包含电介质及配置在所述电介质内部的电极；电路，电连接于所述静电吸盘的所述电极；及第1接地线，电连接于所述电路。所述第1接地线经由绝缘性包覆层而被金属屏蔽。
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公开(公告)号：CN101410955B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。
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公开(公告)号：CN1237613C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
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公开(公告)号：CN1487585A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
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公开(公告)号：CN100570826C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11)；以及有机材料(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1292477C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1501451A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310103596.X
申请日：2003-11-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/321 , B24B37/04 , B24B49/16
CPC classification number: H01L21/76229 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，具备下述步骤：使用包含研磨粒子和表面活性剂的第1研磨液在具有凹凸面的被研磨体的表面上进行第1化学机械研磨；使用包含研磨粒子且具有比第1研磨液低的表面活性剂浓度的第2研磨液在被进行了第1化学机械研磨的被研磨体的表面上进行第2化学机械研磨；以及在使被研磨体的凹凸面平坦化了时，从第1化学机械研磨转换为第2化学机械研磨。
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公开(公告)号：CN100566938C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 一种基片抛光方法，其中，由基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在抛光台的抛光面上，同时抛光液被供应到所述抛光面上，所述基片通过基片和抛光面之间的相对运动而被抛光。在所述基片的抛光过程中，所述基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN100346451C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1919955A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610111384.X
申请日：2006-08-24
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212 , H01L21/76835 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散质的特征为，具有水、重量平均分子量超过20万的聚乙烯吡咯烷酮、氧化剂、含有生成水不溶性金属化合物的第一金属化合物生成剂以及生成水溶性金属化合物的第二金属化合物生成剂的保护膜生成剂、磨粒。通过使用该化学机械研磨用水性分散质，不会引起金属膜和绝缘膜的缺陷，能低摩擦，稳定均匀地研磨金属膜。
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