公开(公告)号：CN1292477C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03153617.4

申请日：2003-08-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仓嶋延行 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。

公开(公告)号：CN1919955A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610111384.X

申请日：2006-08-24

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行 ,  山本进 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散质的特征为，具有水、重量平均分子量超过20万的聚乙烯吡咯烷酮、氧化剂、含有生成水不溶性金属化合物的第一金属化合物生成剂以及生成水溶性金属化合物的第二金属化合物生成剂的保护膜生成剂、磨粒。通过使用该化学机械研磨用水性分散质，不会引起金属膜和绝缘膜的缺陷，能低摩擦，稳定均匀地研磨金属膜。

公开(公告)号：CN1348207A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140937.1

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  山田展英 ,  早坂伸夫 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76819

Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。

公开(公告)号：CN102376565B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110222413.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  仓嶋延行 ,  江田元

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。

公开(公告)号：CN102376565A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110222413.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  仓嶋延行 ,  江田元

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。

公开(公告)号：CN1854225A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076096.5

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  C08J5/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。

公开(公告)号：CN1484304A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03153617.4

申请日：2003-08-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仓嶋延行 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。

公开(公告)号：CN100562552C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200610076096.5

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  C08J5/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt%的重量平均分子量不小于20，000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。

公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1197144C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140937.1

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  山田展英 ,  早坂伸夫 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76819

Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。