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公开(公告)号：CN100346451C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1305985C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410004329.1
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1919955A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610111384.X
申请日：2006-08-24
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212 , H01L21/76835 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散质的特征为，具有水、重量平均分子量超过20万的聚乙烯吡咯烷酮、氧化剂、含有生成水不溶性金属化合物的第一金属化合物生成剂以及生成水溶性金属化合物的第二金属化合物生成剂的保护膜生成剂、磨粒。通过使用该化学机械研磨用水性分散质，不会引起金属膜和绝缘膜的缺陷，能低摩擦，稳定均匀地研磨金属膜。
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公开(公告)号：CN1295758C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410038315.1
申请日：2004-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , C09K3/14 , C09G1/00 , B24B1/00
CPC classification number: C09K3/1409 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10mPaS的粘度。
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公开(公告)号：CN1574205A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100562552C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610076096.5
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt%的重量平均分子量不小于20，000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号：CN1321441C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410069162.7
申请日：2004-07-05
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。
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公开(公告)号：CN1276959C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200410073976.8
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。
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公开(公告)号：CN1626600A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410096136.3
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 公开了一种CMP浆料，包括Cu氧化剂，形成Cu有机络合物的络合剂，表面活性剂，无机微粒，以及树脂微粒，该树脂微粒含有聚苯乙烯，在其表面上具有与无机微粒的极性相同的功能基，并且平均微粒直径小于100nm，以小于1重量％的浓度加入所述树脂微粒。
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公开(公告)号：CN1616573A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410073976.8
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。
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