公开(公告)号：CN105374688B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201410803553.0

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 丁裕伟 ,  蔡竣扬 ,  黄国钦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明提供了一种用于电器件(诸如，DRAM存储单元)的嵌入式晶体管及其制造方法。沟槽形成在衬底中并且栅介质和栅电极形成在衬底的沟槽内。源极/漏极区形成在位于沟槽的相对两侧的衬底中。在实施例中，源极/漏极区的一个连接至存储节点而源极/漏极区的另一个连接至位线。在本实施例中，栅电极可连接至字线以形成DRAM存储单元。可将电介质生长改性剂注入到沟槽的侧壁内以调整栅介质的厚度。

公开(公告)号：CN109390338A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201710669736.1

申请日：2017-08-08

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李志成 ,  李凯霖 ,  颜翊哲

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7849 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

摘要： 本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法。该互补式金属氧化物半导体元件包含多个主动区，沿着第一方向延伸，并沿着第一方向排列在基底上，彼此由绝缘结构区隔开，其中位于相邻主动区相邻末端之间的绝缘结构包含一凹陷区域，该凹陷区域被一包含应力的层间介电层填满。

公开(公告)号：CN108461474A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810105995.6

申请日：2018-02-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.迈尔斯 ,  V.维瓦雷斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32115 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13193 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接第一主面和第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上，所述绝缘体包括上主面和侧面，其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上，并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

公开(公告)号：CN108372458A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810033498.X

申请日：2018-01-12

申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

发明人： 何蔺蓁 ,  蔡薇雯 ,  李振彬

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/24 ,  B24B7/22 ,  H01L21/321 ,  C09G1/02

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/31053

摘要： 公开一种化学机械抛光含钨衬底的方法，以降低腐蚀速率并抑制钨的凹陷和下层电介质的侵蚀。所述方法包括提供衬底；提供含有以下作为初始组分的抛光组合物：水；氧化剂；聚二醇或聚二醇衍生物；二羧酸、铁离子源；胶态二氧化硅研磨剂；以及任选地pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及将所述抛光组合物分配到所述抛光垫与所述衬底之间的界面处或附近的抛光表面上；其中一些钨(W)被抛光离开所述衬底，降低腐蚀速率，抑制钨(W)的凹陷以及钨(W)下层的电介质侵蚀。

公开(公告)号：CN105280547B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

摘要： 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN108281354A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710011311.1

申请日：2017-01-06

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 黄柏诚 ,  李昱廷 ,  蔡傅守 ,  林文钦 ,  刘俊良

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10844

摘要： 本发明公开一种平坦化方法，包含提供一基底，具有一主表面。一凸起结构，位于主表面上。形成一绝缘层，共型地覆盖主表面以及凸起结构的顶面及侧壁。形成一停止层，位于绝缘层上并且至少覆盖凸起结构的顶面。然后全面性地形成一第一介电层，并以一化学机械研磨制作工艺移除部分第一介电层直到暴露出停止层，得到一上表面。形成一预定厚度的第二介电层，覆盖上表面。

公开(公告)号：CN108140569A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057157.5

申请日：2016-09-21

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 佐藤刚树 ,  吉崎幸信 ,  大西正悟

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明的目的在于，提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。提供一种研磨用组合物，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，该研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。

公开(公告)号：CN108026412A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051105.7

申请日：2016-08-31

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 崔骥 ,  林越 ,  S.格拉宾

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 描述了用于使用抛光组合物(亦称为“浆料”)及研磨垫来加工(抛光或平坦化)含有图案化介电材料的基板的材料及方法，例如，CMP加工。

公开(公告)号：CN107895695A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710741291.3

申请日：2017-08-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈昭雄 ,  范富杰 ,  陈奕寰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  刘思贤

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/31053 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7833 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明实施例涉及一种为改善层间介电层经化学机械研磨的碟状效应的悬浮格状冠型多晶硅，具体涉及一种集成电路IC及一种用于制造所述集成电路的方法。多晶硅层形成于衬底的第一区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第一堆积密度的多个多晶硅结构。虚拟层形成于所述衬底的第二区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第二堆积密度的多个虚拟结构，其中所述第一堆积密度及第二堆积密度基本上是类似的。层间介电层形成于所述衬底的所述第一区域及第二区域上方。在形成所述层间介电层之后，通常由所述第一堆积密度及第二堆积密度抑制与化学机械研磨并发的所述衬底的至少第二区域的碟状效应。

公开(公告)号：CN107887444A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710531811.8

申请日：2017-06-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823885 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/152 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7827

摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上竖直延伸的柱状有源区，其中，有源区包括其下部的第一源/漏区、其上部的第二源/漏区、第一源/漏区和第二源/漏区之间靠近其外周表面的沟道区、以及沟道区内侧的体区；以及绕沟道区外周形成的栅堆叠。