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公开(公告)号：CN111748284B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010205880.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: [课题]本发明的目的在于，提供一种新型的研磨用组合物，其有利于改善器件的品质。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于研磨对象物的研磨，其包含：磨粒，其是使有机酸固定化于表面而成的；第1水溶性高分子，其具备具有磺酸基或其盐的基团、或具有羧基或其盐的基团；第2水溶性高分子，其不同于前述第1水溶性高分子；非离子系表面活性剂；和，水性载体。
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公开(公告)号：CN113388328A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110265786.X
申请日：2021-03-11
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B57/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明的研磨用组合物为包含磨粒、添加剂、pH调节剂和分散介质的研磨用组合物，前述磨粒的zeta电位为负，前述添加剂为具有叔氮原子的桥连二环式化合物，前述添加剂的含量相对于研磨用组合物总质量大于0质量％且小于0.5质量％，所述研磨用组合物的pH小于5。
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公开(公告)号：CN112480824A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010951611.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明所述的研磨用组合物包含磨粒、碱性无机化合物、阴离子性水溶性高分子和分散介质；前述磨粒的zeta电位为负，前述磨粒的长径比超过1.1，在利用激光衍射散射法求出的前述磨粒的粒径分布中，从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的90％时的颗粒的直径D90与从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的50％时的颗粒的直径D50的比D90/D50超过1.3。
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公开(公告)号：CN112457930A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010876781.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供：可以充分去除存在于包含氧化硅或多晶硅的研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣的方案。[解决方案]一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物和水，式(1)中，R1为碳数1～5的烃基，R2为氢原子或碳数1～3的烃基。
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公开(公告)号：CN108076668A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201680055778.X
申请日：2016-09-28
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: [课题]提供能够以高的研磨速度对包含氧原子和硅原子的研磨对象物进行研磨、并且能够减少该研磨对象物表面的划痕的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于对包含氧原子和硅原子的研磨对象物进行研磨，所述研磨用组合物包含平均一次粒径为3nm以上且8nm以下的磨粒A、平均一次粒径超过8nm的磨粒B、及分散介质，前述研磨用组合物中的磨粒B的含量比前述研磨用组合物中的前述磨粒A的含量多，前述磨粒A及前述磨粒B的平均硅烷醇基密度为2.0个/nm2以下，前述磨粒B的长径比超过1.3且为2.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107533967A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680020274.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , H01L21/31053
Abstract: [课题]本发明的目的在于提供一种可以充分提高氧化硅膜等具有硅‑氧键的研磨对象物的研磨速度或氮化硅膜等具有硅‑氮键的研磨对象物的研磨速度的、研磨用组合物。[解决方案]提供一种研磨用组合物，其具有：(1)有机化合物，所述有机化合物具有：与具有硅‑氧键或硅‑氮键的研磨对象物相互作用的作用部位、和促进用于研磨前述研磨对象物的研磨成分接近前述研磨对象物的促进部位；(2)磨粒；和(3)分散介质。
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公开(公告)号：CN112480824B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010951611.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明所述的研磨用组合物包含磨粒、碱性无机化合物、阴离子性水溶性高分子和分散介质；前述磨粒的zeta电位为负，前述磨粒的长径比超过1.1，在利用激光衍射散射法求出的前述磨粒的粒径分布中，从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的90％时的颗粒的直径D90与从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的50％时的颗粒的直径D50的比D90/D50超过1.3。
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公开(公告)号：CN110402478B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880016116.0
申请日：2018-02-19
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C11D7/22
Abstract: [课题]目的为提供充分地去除研磨完成的研磨对象物的表面上残留的残渣的手段。[解决手段]一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，该高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、羧酸(盐)基及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，该表面处理组合物的pH值不足7，前述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下。
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公开(公告)号：CN111748284A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010205880.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: [课题]本发明的目的在于，提供一种新型的研磨用组合物，其有利于改善器件的品质。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于研磨对象物的研磨，其包含：磨粒，其是使有机酸固定化于表面而成的；第1水溶性高分子，其具备具有磺酸基或其盐的基团、或具有羧基或其盐的基团；第2水溶性高分子，其不同于前述第1水溶性高分子；非离子系表面活性剂；和，水性载体。
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公开(公告)号：CN108076668B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201680055778.X
申请日：2016-09-28
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , B24B37/00 , B24B37/04
Abstract: 提供能够以高的研磨速度对包含氧原子和硅原子的研磨对象物进行研磨、并且能够减少该研磨对象物表面的划痕的研磨用组合物。一种研磨用组合物，其用于对包含氧原子和硅原子的研磨对象物进行研磨，所述研磨用组合物包含平均一次粒径为3nm以上且8nm以下的磨粒A、平均一次粒径超过8nm的磨粒B、及分散介质，前述研磨用组合物中的磨粒B的含量比前述研磨用组合物中的前述磨粒A的含量多，前述磨粒A及前述磨粒B的平均硅烷醇基密度为2.0个/nm2以下，前述磨粒B的长径比超过1.3且为2.0以下。
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