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公开(公告)号：CN115703208A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210936390.8
申请日：2022-08-05
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B55/00 , B24B55/06 , B08B3/02 , B08B3/08 , C09G1/02 , C11D1/02 , C11D3/04 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供表面处理方法、半导体基板的制造方法、表面处理组合物及半导体基板的制造系统。本发明提供能够将在包含硅氧化物的研磨完的研磨对象物的表面存在的包含无机氧化物磨粒的残渣充分去除的手段。本发明的一方式涉及一种表面处理方法，其使用表面处理组合物来减少包含硅氧化物的研磨完的研磨对象物的表面的包含无机氧化物磨粒的残渣，前述表面处理组合物包含：sp值超过9且为11以下并且具有带负电的官能团的zeta电位调节剂、和分散介质，所述表面处理方法包括：利用前述表面处理组合物，将前述硅氧化物的zeta电位控制为负、并且将前述无机氧化物磨粒的zeta电位控制为‑30mV以下。
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公开(公告)号：CN110402478B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880016116.0
申请日：2018-02-19
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C11D7/22
Abstract: [课题]目的为提供充分地去除研磨完成的研磨对象物的表面上残留的残渣的手段。[解决手段]一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，该高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、羧酸(盐)基及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，该表面处理组合物的pH值不足7，前述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下。
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公开(公告)号：CN111748284A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010205880.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: [课题]本发明的目的在于，提供一种新型的研磨用组合物，其有利于改善器件的品质。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于研磨对象物的研磨，其包含：磨粒，其是使有机酸固定化于表面而成的；第1水溶性高分子，其具备具有磺酸基或其盐的基团、或具有羧基或其盐的基团；第2水溶性高分子，其不同于前述第1水溶性高分子；非离子系表面活性剂；和，水性载体。
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公开(公告)号：CN111748284B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010205880.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: [课题]本发明的目的在于，提供一种新型的研磨用组合物，其有利于改善器件的品质。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于研磨对象物的研磨，其包含：磨粒，其是使有机酸固定化于表面而成的；第1水溶性高分子，其具备具有磺酸基或其盐的基团、或具有羧基或其盐的基团；第2水溶性高分子，其不同于前述第1水溶性高分子；非离子系表面活性剂；和，水性载体。
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公开(公告)号：CN112457930A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010876781.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供：可以充分去除存在于包含氧化硅或多晶硅的研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣的方案。[解决方案]一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物和水，式(1)中，R1为碳数1～5的烃基，R2为氢原子或碳数1～3的烃基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102161879B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110031268.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/768 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/3212
Abstract: 本发明是一种研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明提供除了可以改善研磨后的研磨对象物的平坦性之外，还可以减少由于研磨而在研磨对象物上产生的表面缺陷的研磨用组合物，本发明的研磨用组合物含有氧化剂、防腐蚀剂和由化学式1所示的化合物构成的表面活性剂。化学式1的R1～R5中的1个～3个为烷基、炔基、烯基、芳基或芳基亚烷基，一个为氢原子或碳原子数为1～9的烷基，剩其余的为氢原子，O-R6为氧基亚乙基、氧基亚丙基、或氧基亚乙基与氧基亚丙基的无规或嵌段结合物，n为1以上的整数，X为OSO3-基、OPO32-基或OH基。
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公开(公告)号：CN110402478A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880016116.0
申请日：2018-02-19
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C11D7/22
Abstract: [课题]目的为提供充分地去除研磨完成的研磨对象物的表面上残留的残渣的手段。[解决手段]一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，该高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、羧酸(盐)基及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，该表面处理组合物的pH值不足7，前述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下。
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公开(公告)号：CN106687554A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580052783.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 福吉米株式会社
Inventor： 石田康登
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在包含多晶硅的基板的研磨中能抑制多晶硅的研磨速度、选择性地对除多晶硅以外的硅化合物等、尤其是氮化硅进行研磨的研磨用组合物及研磨方法。作为研磨用组合物，使用含有磨粒、有机酸、及前述有机酸的共轭碱的研磨用组合物。
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公开(公告)号：CN104755580A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380057157.1
申请日：2013-10-29
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 提供一种研磨用组合物，其适用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，可以维持高研磨速度且减少高度差缺陷。一种研磨用组合物，其用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，该研磨用组合物包含：金属防腐剂、络合剂、表面活性剂、和水，使用前述研磨用组合物研磨前述研磨对象物后的研磨对象物表面的固体表面能为30mN/m以下。前述表面活性剂优选为阴离子性表面活性剂。
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公开(公告)号：CN110383426B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880016155.0
申请日：2018-02-19
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D3/37 , C11D7/22
Abstract: [课题]目的为提供充分地去除研磨完成的研磨对象物的表面上残留的残渣的手段。[解决手段]一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，该高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，该表面处理组合物的pH不足7，前述高分子化合物的pKa为3以下，且离子性官能团密度超过10％。
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