研磨用组合物
    2.
    发明公开
    研磨用组合物 审中-实审

    公开(公告)号:CN118995137A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411020070.3

    申请日:2024-07-29

    Abstract: [课题]本发明的课题在于,提供一种新型的研磨用组合物,其能够减少多晶硅等应被研磨的研磨对象物的残留,并且也能够抑制凹陷。[解决方案]一种研磨用组合物,其为包含胶体二氧化硅、碱金属盐和水的、pH为9.0~11.5的研磨用组合物,其中,(i)所述研磨用组合物用于如下工序:在具有设置有凹部的第一层和以填埋该凹部内的方式形成的第二层的研磨对象物中,对所述第二层进行研磨而使所述第一层露出的工序,所述第一层选自具有氧‑硅键的层或具有氮‑硅键的层,所述第二层具有硅‑硅键;和/或(ii)所述胶体二氧化硅的硅烷醇基数为6个/nm2以上且22个/nm2以下。

    表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法

    公开(公告)号:CN118109250A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410170264.5

    申请日:2017-08-28

    Inventor: 陈景智

    Abstract: 本申请涉及表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供的方案在于,边使残留于至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅的研磨完成后的研磨对象物的表面的杂质充分去除,边抑制钨的溶解速度。[解决方案]一种表面处理组合物,其含有:具有磺酸(盐)基的高分子化合物;选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物;和,分散介质,所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理,所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。

    研磨用组合物
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114450376B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202080067989.1

    申请日:2020-09-24

    Abstract: 提供一种研磨用组合物,其可达成兼具高的研磨速率以及HLM周缘的隆起消除性。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂及水,作为前述pH缓冲剂,包含:酸解离常数(pKa)值的至少一者为9~11的范围的盐SL,以及pKa值的至少一者为12以上的盐SH。

    磷酸钛粉体及其制造方法、化妆品用白色颜料

    公开(公告)号:CN111994888B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202011020708.5

    申请日:2018-03-20

    Abstract: 本发明涉及磷酸钛粉体及其制造方法、化妆品用白色颜料。本发明的磷酸钛粉体是由磷酸钛的板状晶体颗粒形成的磷酸钛粉体,板状晶体颗粒的平均厚度为0.01μm以上且低于0.10μm,板状晶体颗粒的平均一次粒径除以平均厚度而得的值即径厚比为5以上。在本发明的磷酸钛粉体的制造方法中,利用水热合成法使含有钛和磷的原料发生反应,制造由磷酸钛的板状晶体颗粒形成的磷酸钛粉体时,使用硫酸钛与磷酸的混合物作为原料。

    研磨方法和半导体基板的制造方法、以及研磨用组合物套组

    公开(公告)号:CN117063267A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202280024860.1

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明提供一种能够减少研磨后的基板的表面缺陷的方案。本发明涉及一种研磨方法,其为基板的研磨方法,所述研磨方法包括研磨工序,所述研磨工序包括:将研磨用组合物供给至所述基板与安装在研磨台上的研磨垫的接触面并且通过旋转所述研磨台来研磨所述基板的、2个以上研磨阶段,所述2个以上研磨阶段包括:在研磨台上使用研磨用组合物S1进行研磨的研磨阶段1;和、所述研磨阶段1之后,在与所述研磨阶段1同一研磨台上使用研磨用组合物S2进行研磨的研磨阶段2,所述研磨用组合物S1含有磨粒1、水和磨粒吸附参数为5以上的水溶性高分子;所述研磨用组合物S2含有磨粒2、水和所述磨粒吸附参数小于5的水溶性高分子,且不以0.005质量%以上的含量含有所述磨粒吸附参数为5以上的水溶性高分子。

    研磨用组合物及使用其的研磨方法

    公开(公告)号:CN116940648A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202280017862.8

    申请日:2022-01-26

    Inventor: 若林谅

    Abstract: 提供用于能够降低研磨对象物的研磨后的表面上的磨粒残渣的手段。本发明的研磨用组合物包含磨粒和分散介质,所述磨粒是平均粒径(D50)大于1.0μm且一次颗粒的圆形度为0.90以上的二氧化硅颗粒。

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