公开(公告)号：CN112530868A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201911306956.3

申请日：2019-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯玠宁 ,  洪志昌 ,  陈炳宏 ,  林益安

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。

公开(公告)号：CN110211857A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910085900.3

申请日：2019-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘昇良 ,  郭国凭 ,  洪嘉阳 ,  陈炳宏 ,  谢志宏 ,  孙书辉 ,  章勋明

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

Abstract: 在此所述的实施例涉及等离子体处理方法。工具包含基座。基座被配置以支撑半导体基板。工具包含偏压源。偏压源电性耦接至基座。偏压源可操作以利用直流(DC)电压偏置基座。工具包含等离子体产生器。等离子体产生器可操作以从基座远端产生等离子体。一种半导体工艺方法包含在工具中的基板上进行等离子体处理。等离子体处理包含将气体流入工具。等离子体处理包含将工具中支撑基板的基座偏置。等离子体处理包含在工具中使用气体点燃等离子体。

公开(公告)号：CN107502938A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710435772.1

申请日：2017-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱如谦 ,  陈炳宏 ,  蒯光国

IPC: C25D11/24

CPC classification number: H01J37/32495 ,  C25D11/045 ,  C25D11/246 ,  H01J37/32467

Abstract: 本揭露涉及一种具有氧化铝层的铝制设备和其形成方法，在这种方法中，使用碱性溶液及酸性溶液中的至少一者来化学处理铝制体。对所述经化学处理的铝制体执行阳极氧化以形成氧化铝层。使用温度超过75℃的热水或水蒸汽来处理所述氧化铝层。经热水或水蒸汽处理之后的所述氧化铝层包含多个柱状晶粒，且所述柱状晶粒的平均宽度在从10nm到100nm的范围内。

公开(公告)号：CN105280547A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN1638031A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104161.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。

公开(公告)号：CN112530868B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201911306956.3

申请日：2019-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯玠宁 ,  洪志昌 ,  陈炳宏 ,  林益安

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。

公开(公告)号：CN105280547B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN2796093Y

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200420118690.2

申请日：2004-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴学昌 ,  张知天 ,  陆志诚 ,  陈炳宏 ,  周梅生

IPC: H01L21/00 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/18 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0037 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线，而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值，补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值，而改变制程温度曲线。