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公开(公告)号：CN110871398A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910796845.9
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , F24H1/00 , F24H1/16 , F24H9/18 , F24H9/20 , G05D23/20 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及化学液体加热系统与化学机械抛光的方法。本揭露提供一种化学液体加热系统，所述化学液体加热系统包含：第一导管，用于输送化学液体；施配头，其经连接到所述第一导管；及辐射加热元件，其经配置以加热所述第一导管中的所述化学液体且经定位于所述施配头的上游处。
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公开(公告)号：CN111118474A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911012145.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明实施例提供一种导流盘，其包含：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。
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公开(公告)号：CN110047775A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811571300.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置制造设备与制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包含：反应室，其具有用于接收气流的进气口；所述反应室中的基座，所述基座经配置以支撑衬底；及第一气体分布板GDP，其是在所述反应室中且在所述进气口与所述基座之间，其中所述第一GDP经配置以包含沿着径向方向布置的多个同心区以及布置于所述第一GDP的所述同心区中的多个第一孔，外部同心区中的所述第一GDP的开口比率大于接近所述外部同心区中的内部同心区中的开口比率以重新分布所述气流。
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公开(公告)号：CN112410759A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010348021.8
申请日：2020-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本发明实施例涉及喷气头结构及使用其的等离子体处理设备。本发明实施例提供一种喷气头结构及一种等离子体处理设备。所述喷气头结构包含在第一表面上具有第一区带及第二区带的板体。多个第一贯穿孔在所述第一区带中，所述第一贯穿孔中的每一者具有与所述第一贯穿孔中的其它者统一的直径。多个第二贯穿孔在所述第二区带中。所述第一区带与所述第二区带连接，且所述第一贯穿孔中的每一者的所述直径大于所述第二贯穿孔中的每一者的直径。本发明实施例还提供一种包含所述喷气头结构的等离子体处理设备。
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公开(公告)号：CN111952443A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010331592.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。本发明实施例提供一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包含：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779197B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN109839076B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810541801.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法。在一个示例中，该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用来捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用来处理这个信息以确定至少一个硬件部分的状况。寿命预测器基于这个硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。
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公开(公告)号：CN112563108A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010410647.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明实施例涉及制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体结构的设备，所述设备包含：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘，其中所述边缘环包括腔体；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及第一致动器，其在所述边缘环的所述腔体中且与所述聚焦环接合。
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公开(公告)号：CN109839076A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810541801.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法。在一个示例中，该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用来捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用来处理这个信息以确定至少一个硬件部分的状况。寿命预测器基于这个硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。
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公开(公告)号：CN110047775B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201811571300.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置制造设备与制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包含：反应室，其具有用于接收气流的进气口；所述反应室中的基座，所述基座经配置以支撑衬底；及第一气体分布板GDP，其是在所述反应室中且在所述进气口与所述基座之间，其中所述第一GDP经配置以包含沿着径向方向布置的多个同心区以及布置于所述第一GDP的所述同心区中的多个第一孔，外部同心区中的所述第一GDP的开口比率大于接近所述外部同心区中的内部同心区中的开口比率以重新分布所述气流。
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