公开(公告)号：CN112410759A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010348021.8

申请日：2020-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈焕杰 ,  林智仁 ,  刘代斌 ,  蔡学欣 ,  蒯光国

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明实施例涉及喷气头结构及使用其的等离子体处理设备。本发明实施例提供一种喷气头结构及一种等离子体处理设备。所述喷气头结构包含在第一表面上具有第一区带及第二区带的板体。多个第一贯穿孔在所述第一区带中，所述第一贯穿孔中的每一者具有与所述第一贯穿孔中的其它者统一的直径。多个第二贯穿孔在所述第二区带中。所述第一区带与所述第二区带连接，且所述第一贯穿孔中的每一者的所述直径大于所述第二贯穿孔中的每一者的直径。本发明实施例还提供一种包含所述喷气头结构的等离子体处理设备。

公开(公告)号：CN109559965A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201710872985.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾同庆 ,  陈焕杰

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种制程设备及其组装方法。制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。

公开(公告)号：CN109309029A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201711296265.0

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗谚展 ,  陈焕杰 ,  赖以方 ,  蒯光国 ,  孙锦峰 ,  吕伯雄 ,  刘定一 ,  许凯翔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供一种加工设备，加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。

公开(公告)号：CN109559965B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201710872985.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾同庆 ,  陈焕杰

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种制程设备及其组装方法。制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。

公开(公告)号：CN111118474A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911012145.2

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈焕杰 ,  王超群 ,  吴至彧 ,  蒯光国

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明实施例提供一种导流盘，其包含：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。