公开(公告)号：CN109309029A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201711296265.0

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗谚展 ,  陈焕杰 ,  赖以方 ,  蒯光国 ,  孙锦峰 ,  吕伯雄 ,  刘定一 ,  许凯翔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供一种加工设备，加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。

公开(公告)号：CN106917073B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201610889738.7

申请日：2016-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗谚展 ,  赖以方 ,  吕伯雄 ,  刘定一 ,  廖锡文 ,  许凯翔 ,  谢政辉 ,  林贤辉 ,  徐瑞甫 ,  吴成宗

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/458

Abstract: 热化学汽相沉积(CVD)系统包括底室、上室、工件支撑件、加热器和至少一个屏蔽板。上室存在于在底室上方。室间隔限定在上室和底室之间。工件支撑件配置为在室间隔中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。屏蔽板配置为至少部分地为底室屏蔽热量。本发明实施例涉及热化学汽相沉积系统及其操作方法。

公开(公告)号：CN106917073A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610889738.7

申请日：2016-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗谚展 ,  赖以方 ,  吕伯雄 ,  刘定一 ,  廖锡文 ,  许凯翔 ,  谢政辉 ,  林贤辉 ,  徐瑞甫 ,  吴成宗

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44

Abstract: 热化学汽相沉积(CVD)系统包括底室、上室、工件支撑件、加热器和至少一个屏蔽板。上室存在于在底室上方。室间隔限定在上室和底室之间。工件支撑件配置为在室间隔中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。屏蔽板配置为至少部分地为底室屏蔽热量。本发明实施例涉及热化学汽相沉积系统及其操作方法。