公开(公告)号：CN104253086A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310398177.7

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈莉 ,  林志男 ,  孙锦峰 ,  吕伯雄 ,  刘定一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。

公开(公告)号：CN104253086B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310398177.7

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈莉 ,  林志男 ,  孙锦峰 ,  吕伯雄 ,  刘定一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。

公开(公告)号：CN109309029A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201711296265.0

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗谚展 ,  陈焕杰 ,  赖以方 ,  蒯光国 ,  孙锦峰 ,  吕伯雄 ,  刘定一 ,  许凯翔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供一种加工设备，加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。