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公开(公告)号：CN112435958B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010873119.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 形成集成电路结构的方法包括在第一导电部件上方沉积蚀刻停止层，实施第一处理以使蚀刻停止层非晶化，在蚀刻停止层上方沉积介电层，蚀刻介电层以形成开口，蚀刻穿过蚀刻停止层以将开口延伸至蚀刻停止层中，以及用导电材料填充开口以形成第二导电部件。本发明的实施例还提供了一种集成电路结构。
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公开(公告)号：CN109216320B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810699054.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532
Abstract: 半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。
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公开(公告)号：CN110875222A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910814179.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 一种设备前端装置及其操作方法。具有前开式通用容器底座和机台接取端口的设备前端模组包括机器人晶圆搬运系统。机器人晶圆搬运系统配置以在耦接前开式通用容器底座的前开式通用容器与定位以经由机台接取端口来接取的处理机台之间转移硅晶圆。设备前端模组内部的空气幕系统定位以在端口开启时产生经过机台接取端口的空气幕，用于将设备前端模组内部与机台环境隔离，并防止气载污染物经由接取端口进入设备前端模组。
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公开(公告)号：CN106917073B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610889738.7
申请日：2016-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 热化学汽相沉积(CVD)系统包括底室、上室、工件支撑件、加热器和至少一个屏蔽板。上室存在于在底室上方。室间隔限定在上室和底室之间。工件支撑件配置为在室间隔中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。屏蔽板配置为至少部分地为底室屏蔽热量。本发明实施例涉及热化学汽相沉积系统及其操作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216320A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810699054.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532
Abstract: 半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。
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公开(公告)号：CN104253086A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310398177.7
申请日：2013-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L21/76826 , H01L21/02065 , H01L21/76829 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。
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公开(公告)号：CN110904433B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910882979.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/30
Abstract: 本公开涉及沉积方法及互连结构，本公开实施例提供含铝层及形成含铝层的系统及方法。在一实施例中，一种沉积方法，包括：通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中沉积的操作还包括：在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使基板与一含铝前驱物接触、使基板与一含氮前驱物接触、在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使基板与前述含铝前驱物接触、以及使基板与前述含氮前驱物接触。第一峰值脉冲流率大于第二峰值脉冲流率。第一脉冲宽度小于第二脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN113628988A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010383365.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C14/22 , C23C16/448
Abstract: 本揭露的实施例提供一种半导体晶圆的制造方法，包括经由一排出口供应载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使载体气体与储存在下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变下腔体相对排出口的旋转角度；以及经由一下游管道组件自封闭环境将加工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。
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公开(公告)号：CN111129147A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911052681.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在第一导电层的表面区域处形成保护层，通过在保护层上施加含金属的气体来形成金属层，并且通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层。保护层抵抗湿蚀刻操作的溶液。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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